浙江创芯集成电路有限公司董艳平获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403196B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411516251.5，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由董艳平;许凯;高大为设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成电荷存储层；在所述电荷存储层上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的所述衬底内形成源极和漏极；对所述电荷存储层进行热载流子注入处理，使电子或空穴进入所述电荷存储层内。本发明实施例提供的形成方法，可以使载流子运输沟道远离衬底表面，降低衬底结合界面对沟道载流子的影响，提高沟道载流子迁移率，提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成电荷存储层； 在所述电荷存储层上形成栅极结构； 在所述栅极结构两侧的所述衬底内形成源极和漏极； 对所述电荷存储层进行热载流子注入处理，使电子或空穴进入所述电荷存储层内； 当所述衬底为P型衬底时，向所述栅极结构施加第一电压，所述第一电压等于第一预设倍数的正的电源电压；向所述漏极施加第二电压，所述第二电压等于第二预设倍数的正的电源电压，使电子进入所述电荷存储层内； 或者当所述衬底为N型衬底时，向所述栅极结构施加第一电压，所述第一电压等于第一预设倍数的负的电源电压；向所述漏极施加第二电压，所述第二电压等于第二预设倍数的负的电源电压，使空穴进入所述电荷存储层内。
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