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龙图腾网获悉苏州园芯微电子技术有限公司申请的专利一种集成MEMS芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119430071B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411666080.4，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种集成MEMS芯片及其制造方法是由翁国军设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成MEMS芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例公开了集成MEMS芯片及其制造方法，其中制造方法包括：提供第一衬底和第二衬底；制作覆盖第二衬底的一侧表面的电气互连结构；在电气互连结构上开设第一通气孔或制作覆盖第一衬底的一侧表面的辅助开孔结构，在辅助开孔结构上开设第一通气孔。在第一衬底上制作传感器结构，传感器结构与电气互连结构之间有活动间隔，活动间隔和活动凹槽共同构成了相对应的传感器结构的形变空间。每个第一通气孔均具有相对应且连通的第二通气孔。本申请能通过相连通的第二通气孔和第一通气孔调节相对应的形变空间的气压，并在气压调节后封堵第一通气孔和第二通气孔，使得形变空间中的气压维持在预设气压。

本发明授权一种集成MEMS芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成MEMS芯片的制造方法，其特征在于，包括： 提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底的一侧表面上开设有多个相互物理隔离的活动凹槽； 制作电气互连结构，所述电气互连结构覆盖所述第二衬底的一侧表面； 在所述电气互连结构上开设至少一个第一通气孔，所述第二衬底的表面于所述第一通气孔中露出，所述电气互连结构的厚度小于所述第二衬底的厚度，或，在至少一个活动凹槽的槽底制作辅助开孔结构，所述辅助开孔结构的厚度小于所述第一衬底的最小厚度，在所述辅助开孔结构上开设所述第一通气孔； 制作多个传感器结构，所述多个传感器结构位于所述第一衬底开设有所述多个活动凹槽的一侧，与所述第一衬底连接，所述多个传感器结构与所述多个活动凹槽一一对应，其中所述多个传感器结构中至少有一个与所述第一通气孔相对应； 连接所述第一衬底和所述第二衬底，每个所述传感器结构背离所述第一衬底的一侧表面与电气互连结构背离所述第二衬底的一侧表面之间形成活动间隔，相邻的所述活动间隔之间物理隔离，所述活动间隔和所述活动凹槽共同构成了相对应的所述传感器结构的形变空间，所述第一通气孔的投影位于相对应的所述传感器结构的活动间隔的投影内，其中，所述电气互连结构中嵌设有多个导电体，所述导电体与所述传感器结构一一对应，相对应的所述导电体和所述传感器结构电气连接； 制作至少一个第二通气孔，所述至少一个第二通气孔与所述至少一个第一通气孔一一对应，且相对应的所述第二通气孔和所述第一通气孔相连通，通过相连通的所述第二通气孔和所述第一通气孔调节相对应的所述形变空间的气压； 封堵所述第一通气孔和所述第二通气孔。

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