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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486144B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411464095.2，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体结构及其制备方法是由周猛;刘青松设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法。本发明通过优化器件结构，设置相邻两存储管之间的间距小于预设间距阈值，减小了器件面积；各存储单元的源区都通过一掺杂层连接组成源线，只需在源线的一端形成一个引出结构，避免多个源触结构的制备工艺，降低了工艺风险；每一漏区通过一漏接触结构引出，各存储单元的漏接触结构连接组成位线。源线与位线垂直分布，提高工艺可实施性，减小了器件面积。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底，所述衬底中通过浅沟槽隔离结构定义有沿第一方向延伸、沿第二方向间隔分布的有源区，所述有源区下方的所述衬底中形成有深阱隔离层，所述有源区中形成有漏区和源区，所述有源区表面形成有对称排布的、由选择管和存储管组成的存储单元，相邻两存储管之间的间距小于预设间距阈值，其中，所述第一方向、所述第二方向均平行于所述衬底表面，且所述第一方向与所述第二方向相交；刻蚀去除相邻两存储管之间区域处的所述浅沟槽隔离结构，以暴露该区域的所述衬底；对相邻两存储管之间的区域进行离子注入形成掺杂层作为源线，所述掺杂层沿第二方向连续分布且连接各存储单元的所述源区，所述掺杂层沿第二方向连续分布具体包括：所述掺杂层作为源线沿第二方向连续覆盖于刻蚀去除相邻两存储管之间区域处的所述浅沟槽隔离结构后所暴露出的衬底表面、深阱隔离层侧壁、有源区侧壁；以及于所述漏区上方形成与所述漏区接触的漏接触结构，并形成连接线作为位线，所述连接线沿第一方向连续分布且连接各存储单元中的所述漏接触结构，所述连接线沿第一方向连续分布具体包括：所述连接线作为位线连接存储单元中的漏区、且跨接在相邻的存储单元之上。

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