中芯国际集成电路制造(上海)有限公司王何宁获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利版图图形尺寸校准方法及系统、掩膜版、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119493330B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311052843.1，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权版图图形尺寸校准方法及系统、掩膜版、设备及存储介质是由王何宁;王健;张迎春设计研发完成，并于2023-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本版图图形尺寸校准方法及系统、掩膜版、设备及存储介质在说明书摘要公布了：一种版图图形尺寸校准方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，方法包括：获取版图层，版图层包括沿第一方向延伸的第一图形、以及横跨第一图形的多个第二图形；根据图形密度将版图层划分为多个图形密度区；获取多个第二图形、以及第二图形横跨的第一图形构成的处理单元，处理单元完全覆盖第一图形和第二图形、且第一图形与第二图形构成的组合图形的边界重合于处理单元的边界上；获取具有图形密度区的边界的处理单元作为校准单元；根据图形密度区的边界对校准单元的划分情况，对校准单元进行图形密度区重定义处理；进行图形密度区重定义处理后，根据处理结果对各个图形密度区对应的图形进行尺寸补偿处理。本发明有利于提高图形密度区重定义处理效率。
本发明授权版图图形尺寸校准方法及系统、掩膜版、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种版图图形尺寸校准方法，其特征在于，包括： 获取版图层，所述版图层包括沿第一方向延伸的第一图形、以及横跨所述第一图形的多个第二图形，所述第二图形沿第二方向延伸且沿所述第一方向平行排布，所述第二方向垂直于第一方向； 根据图形密度将所述版图层划分为多个图形密度区； 获取多个所述第二图形、以及所述第二图形横跨的所述第一图形构成的处理单元，所述处理单元的形状为矩形或多个矩形的拼接，所述处理单元完全覆盖所述第一图形和第二图形、且所述第一图形与第二图形构成的组合图形的边界重合于所述处理单元的边界上； 获取具有所述图形密度区的边界的处理单元作为校准单元； 根据所述图形密度区的边界对所述校准单元的划分情况，对所述校准单元进行图形密度区重定义处理； 进行所述图形密度区重定义处理后，根据处理结果对各个图形密度区对应的图形进行尺寸补偿处理。
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