浙江创芯集成电路有限公司盛丽萍获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521711B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311038796.5，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体结构及其形成方法是由盛丽萍;吴永玉设计研发完成，并于2023-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在所述衬底内形成凹槽和位于所述凹槽侧壁和底部表面的线性氧化层；对所述线性氧化层进行改性处理，在所述线性氧化层内掺入改性离子；在所述改性处理之后，在所述凹槽内形成隔离结构；在形成所述隔离结构之后，在所述衬底表面注入掺杂离子，形成电压调节区，抑制电压调节区内的掺杂离子通过所述线性氧化层进入到隔离结构中，利于精确控制所形成的器件的阈值电压。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底内的凹槽，所述凹槽侧壁和底部表面具有线性氧化层，所述线性氧化层内具有改性离子； 位于所述凹槽内且位于所述线性氧化层表面的隔离结构； 位于所述衬底表面的电压调节区，所述电压调节区内具有掺杂离子； 位于所述衬底内的阱区，所述阱区的导电类型为P型，所述电压调节区位于所述阱区上； 位于所述阱区和所述电压调节区之间具有源漏防穿通区，所述源漏防穿通区的导电类型为P型。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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