浙江创芯集成电路有限公司滕巧获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521753B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311038739.7，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由滕巧;吴永玉;高大为设计研发完成，并于2023-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底内形成初始埋置层，初始埋置层内具有掺杂离子；对初始埋置层进行退火处理形成埋置层，退火处理的气体包括惰性气体和氢气，或者惰性气体和氢的同位素气体。由于退火处理的气体中不含氧气，因此不会对初始埋置层造成过渡的消耗，进而使得埋置层的表面出现明显凹陷。另外，硅材质的衬底表面存在悬挂健，采用氢气退火可以使氢原子进入硅晶体后和悬挂键结合，从而达到消除界面态的目的。与氢元素相比，氢的同位素与硅之间的键能更大，因而更不容易断裂，从而达到更好消除界面态的目的。而且，高温氢气或氢的同位素气体退火还可以消除衬底表面以及内部的空洞缺陷，改善衬底表面的粗糙度。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底内形成初始埋置层，所述初始埋置层内具有掺杂离子； 对所述初始埋置层进行退火处理形成埋置层，所述退火处理的气体包括惰性气体和氢气，或者惰性气体和氢的同位素气体，且所述退火处理的气体中不含氧气。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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