浙江大学绍兴研究院张睿获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学绍兴研究院申请的专利与SOI CMOS工艺兼容的平面SiGe异质结晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545820B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411703638.1，技术领域涉及：H10D10/01；该发明授权与SOI CMOS工艺兼容的平面SiGe异质结晶体管及其制造方法是由张睿;杨若诚设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本与SOI CMOS工艺兼容的平面SiGe异质结晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了与SOICMOS工艺兼容的平面SiGe异质结晶体管及其制造方法，与SOICMOS工艺兼容的平面SiGe异质结晶体管包括在SOI晶圆上设置的发射极、基极和集电极，三个区域平面型排布，电流横向流通，其中发射极和集电极完全对称，由绝缘层上n型掺杂的硅构成；基极由一定组分结构的p型掺杂硅锗合金构成，对发射极、基极和集电极分别使用多晶硅进行接触。本发明公开的与SOICMOS工艺兼容的平面SiGe异质结晶体管及其制造方法，用于解决传统垂直型SiGeHBT难以兼容先进CMOS工艺节点的问题。
本发明授权与SOI CMOS工艺兼容的平面SiGe异质结晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种与SOICMOS工艺兼容的平面SiGe异质结晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：在SOI晶圆上图案化基区，通过MBE或CVD工艺在衬底上沉积生长硅锗合金； 步骤S2：进行热氧化，从SOI晶圆中的二氧化硅中分离出的锗，并且被驱动到基区，形成具有结晶性的硅锗基区； 步骤S3：对二氧化硅进行刻蚀，从而露出硅锗基区并且对硅锗基区进行p型掺杂，退火处理之后在硅锗基区上方沉积多晶硅作为外展基区，以作为晶体管的基极； 步骤S4：在SOI晶圆上图案化发射区和集电区并且进行n型掺杂，分别形成接触电极，从而分别作为晶体管的发射极和集电极，进而完成平面SiGe异质结晶体管的制造。
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