西安电子科技大学周弘获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于高热导率BeO钝化的AlN基射频功率晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584577B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411674747.5，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权基于高热导率BeO钝化的AlN基射频功率晶体管及制备方法是由周弘;梁爽;岳红庆;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于高热导率BeO钝化的AlN基射频功率晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于高热导率BeO钝化的AlN基射频功率晶体管及制备方法，包括：自下而上依次层叠的衬底层、AlN成核层、GaN沟道层、AlN势垒层；源极和漏极，位于AlN势垒层上表面的两端；第一钝化层，位于源极和漏极之间的AlN势垒层的上表面；第二钝化层，位于第一钝化层的上表面；其中，第二钝化层为高热导率材料BeO；T型栅极，贯穿第二钝化层直至第一钝化层的上表面，以及搭接于部分第二钝化层的上表面，且靠近源极。本发明在提高热导率、提高器件耐压和功率密度、减小电流崩塌、降低器件工作温度和增强器件工作稳定性方面具有显著优势，预示着在高频、高功率领域的广阔应用前景。
本发明授权基于高热导率BeO钝化的AlN基射频功率晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于高热导率BeO钝化的AlN基射频功率晶体管，其特征在于，所述AlN基射频功率晶体管包括： 自下而上依次层叠的衬底层、AlN成核层、GaN沟道层、AlN势垒层； 源极和漏极，位于所述AlN势垒层上表面的两端； 第一钝化层，位于所述源极和所述漏极之间的AlN势垒层的上表面； 第二钝化层，位于所述第一钝化层的上表面；其中，所述第二钝化层为高热导率材料BeO； T型栅极，贯穿所述第二钝化层直至所述第一钝化层的上表面，以及搭接于部分所述第二钝化层的上表面，且靠近所述源极。
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