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龙图腾网获悉上海庆建廷科技有限公司申请的专利一种CdSe@Ti3C2TxMXene异质结材料在半导体器件中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119593001B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411597641.X，技术领域涉及：C25B11/091；该发明授权一种CdSe@Ti3C2TxMXene异质结材料在半导体器件中的应用是由何俊;齐金和;孟宪宽;俞俊设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CdSe@Ti3C2TxMXene异质结材料在半导体器件中的应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种CdSe@Ti3C2TxMXene异质结材料在半导体器件中的应用，所述半导体器件包括场效应晶体管、光电探测器、超级电容器和电解水催化器件中的一种。本发明通过利用CdSe@Ti3C2TxMXene异质结材料的优异电学和光学特性，制备出具有高性能的场效应晶体管、光电探测器、超级电容器和电解水器件，方法简单易行，成本低廉，适合大规模生产应用。

本发明授权一种CdSe@Ti3C2TxMXene异质结材料在半导体器件中的应用在权利要求书中公布了：1.一种CdSe@Ti3C2TxMXene异质结材料在半导体器件中的应用，其特征在于：所述半导体器件包括场效应晶体管、光电探测器、超级电容器中的一种； 所述CdSe@Ti3C2TxMXene异质结材料的制备方法包括： 准备MXene纳米片：称取1克Ti3AlC2MAX相粉末，并将10毫升氟化氢酸缓慢加入聚四氟乙烯杯中；反应在水浴中于40℃、转速为500转分钟下进行24小时；反应结束后，将溶液倒入离心管中，以4200rpm离心3分钟，离心后的溶液用去离子水洗涤数次，最后用泵过滤直到水完全去除，最后冻干24小时；反应在40℃下进行24小时，转速为500转分钟，得到Ti3C2TxMXene纳米片； 合成CdSe纳米颗粒：溶液A是通过将0.366克氯化镉与50毫升去离子水混合25分钟形成的，而溶液B是通过将0.272克硒粉与40毫升偏二甲肼溶液混合25分钟形成的；然后，将溶液A和溶液B混合15分钟以确保完全混合，接着将混合溶液转移到一个100毫升的聚四氟乙烯衬里的高压反应釜中，加热至180℃反应6小时，反应结束后，溶液进行三次离心，并用去离子水洗涤三次以获得沉淀，最后冻干24小时，以获得硒化镉纳米颗粒； 将CdSe纳米颗粒均匀分散在MXene纳米片溶液中，形成CdSeMXene半导体复合材料；对复合材料进行后处理。

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