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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学申请的专利一种无金欧姆接触电极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677157B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411892947.8，技术领域涉及：H10D64/62；该发明授权一种无金欧姆接触电极及其制备方法是由谢雨峰;陈兴;万瑾锡;龚建彪;沈琪设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无金欧姆接触电极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种无金欧姆接触电极及其制备方法。包括：从下至上依次设置的：衬底层、缓冲层、插入层、势垒层、GaN帽层以及钝化层；钝化层包括：第一钝化层和第二钝化层；第一钝化层和第二钝化层左右对称地设置于GaN帽层上表面的两侧；栅极设置于钝化层的上表面并部分覆盖第一钝化层和第二钝化层；缓冲层上表面的两侧对称设置有：第一n+‑InGaN层和第二n+‑InGaN层，且第一n+‑InGaN层和第二n+‑InGaN层与插入层、势垒层和GaN帽层的侧面接触；第一n+‑InGaN层的内部设置有源极；第二n+‑InGaN层内部设置有漏极；漏极和源极均包括：金属Ti层和金属TiN层；金属Ti层靠近衬底层设置。

本发明授权一种无金欧姆接触电极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种无金欧姆接触电极，其特征在于，所述无金欧姆接触电极为左右对称结构，包括： 从下至上依次设置的：衬底层1、缓冲层2、插入层3、势垒层4、GaN帽层5以及钝化层6； 所述钝化层6包括：第一钝化层和第二钝化层；所述第一钝化层和所述第二钝化层左右对称地设置于所述GaN帽层5上表面的两侧；栅极10设置于所述钝化层6的上表面并部分覆盖所述第一钝化层和所述第二钝化层； 缓冲层2上表面的两侧对称设置有：第一n+-InGaN层和第二n+-InGaN层，且所述第一n+-InGaN层和所述第二n+-InGaN层与所述插入层3、所述势垒层4和所述GaN帽层5的侧面接触；所述第一n+-InGaN层的内部设置有源极9；所述第二n+-InGaN层内部设置有漏极8； 所述漏极8和所述源极9均包括：第一金属Ti层和第二金属TiN层；所述第一金属Ti层靠近所述衬底层1设置；所述第一n+-InGaN层和所述第二n+-InGaN层基于欧姆再生长工艺生长得到。

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