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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学申请的专利一种紫外光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677229B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411501426.5，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种紫外光电探测器及其制备方法是由李佳媛;黎伟正;罗祎航;黄永设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种紫外光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种紫外光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电子器件领域。该紫外光电探测器，包括外延层、沟道层、势垒层、介质层、阴电极和阳电极；其中，外延层、沟道层和势垒层自下而上层叠设置；沟道层和势垒层形成透明电极；阳电极设置在外延层上，阳电极和透明电极呈相互交叉的叉指型分布方式排列；阴电极设置在势垒层上；介质层位于沟道层上对势垒层的叉指部形成包围结构，以隔离阳电极与阴电极。在本发明中，采用金属叉指与透明叉指交替排布，能够扩大单次光刻电极间距，降低金属剥离难度，利用介质层在阴电极和阳电极之形起到隔离效果，防止阴阳电极短路，从而降低了紫外光电探测器的暗电流。

本发明授权一种紫外光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种紫外光电探测器，其特征在于，包括：外延层、沟道层、势垒层、介质层、阴电极和阳电极；其中， 所述外延层、所述沟道层和所述势垒层自下而上层叠设置； 所述沟道层和所述势垒层形成透明电极；其中，所述沟道层包括连接的第一沟道部和第二沟道部，所述第一沟道部位于所述外延层的上表面的一侧，所述第二沟道部包括多个平行设置的条状沟道层形成叉指部，所述条状沟道层的一端均与所述第一沟道部连接；所述势垒层包括连接的第一势垒部和第二势垒部，所述第一势垒部位于所述第一沟道部的上表面，所述第二势垒部包括多个平行设置的条状势垒层形成叉指部，所述条状势垒层的一端均与所述第一势垒部连接，所述条状势垒层位于对应的所述条状沟道层的上表面； 所述阳电极设置在所述外延层上，所述阳电极和所述透明电极呈相互交叉的叉指型分布方式排列； 所述阴电极设置在所述势垒层上； 所述介质层位于所述沟道层上对所述势垒层的叉指部形成包围结构，以隔离所述阳电极与所述阴电极。

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