江苏亨通光导新材料有限公司;江苏亨通光电股份有限公司;江苏亨通光纤科技有限公司孙楠获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏亨通光导新材料有限公司;江苏亨通光电股份有限公司;江苏亨通光纤科技有限公司申请的专利一种衰减稳定的高元素掺杂光纤及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119689632B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411888631.1，技术领域涉及：G02B6/02；该发明授权一种衰减稳定的高元素掺杂光纤及其制备方法是由孙楠;金希;鲁阳;柏文俊;吴振伟;马明松;劳雪刚;王友兵设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种衰减稳定的高元素掺杂光纤及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种衰减稳定的高元素掺杂光纤，包括芯棒、下陷包层和外包层；所述芯棒是利用气相沉积工艺制成的沉积松散体经烧结、脱气、拉伸工艺制成；其中，所述沉积松散体包括从内至外依次设置的芯层、松软层、芯包结合层、包层一和包层二；芯包结合层的厚度为0～3mm，松软层的厚度为0～2mm，沉积松散体的各层密度分布满足以下条件：ρ芯层ρ包层一，ρ芯层≥ρ包层二，ρmax﹣ρ芯包结合层﹤ρmax﹣ρ包层一，其中，ρmax为沉积松散体的最大沉积密度。本发明通过控制沉积松散体密度分布及沉积松散体厚度，减少后续形变过程中断键缺陷的产生，可达到降低氘气处理后光纤衰减的目的。
本发明授权一种衰减稳定的高元素掺杂光纤及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种衰减稳定的高元素掺杂光纤，其特征在于，包括芯棒、下陷包层和外包层；所述芯棒是利用气相沉积工艺制成的沉积松散体经烧结、脱气、拉伸工艺制成；其中，所述沉积松散体包括从内至外依次设置的芯层、松软层、芯包结合层、包层一和包层二，所述芯包结合层的厚度为0～3mm，松软层的厚度为0～2mm；所述沉积松散体的各层密度分布满足以下条件：芯层、芯包结合层、包层一和包层二的密度分别表示为ρ芯层、ρ芯包结合层、ρ包层一、ρ包层二，ρ芯层ρ包层一，ρ芯层≥ρ包层二，ρmax﹣ρ芯包结合层﹤ρmax﹣ρ包层一，其中，ρmax为沉积松散体的最大沉积密度。
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