浙江创芯集成电路有限公司黄江海获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119694979B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411780274.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由黄江海;王江红;陶然设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底和位于衬底上的栅极结构；在衬底和栅极结构上形成层间介质层；对层间介质层进行刻蚀，在层间介质层内形成凹槽，凹槽位于栅极结构对应位置；在凹槽内形成阻挡结构；对层间介质层和阻挡结构进行刻蚀，形成第一通孔和第二通孔，第一通孔位于栅极结构上且贯穿阻挡结构，第二通孔位于栅极结构至少一侧的衬底上且第二通孔的深度大于第一通孔。阻挡结构位于栅极结构对应位置，延缓了第一通孔对应位置的刻蚀速率，从而有效减少位于衬底上的第二通孔刻蚀完成时，位于栅极结构上的第一通孔所在位置发生过刻蚀现象的出现，降低造成栅极结构损耗的几率，提升了半导体器件的性能稳定性。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底和位于所述衬底上的栅极结构； 在所述衬底和所述栅极结构上形成层间介质层； 对所述层间介质层进行刻蚀，在所述层间介质层内形成凹槽，所述凹槽位于所述栅极结构对应位置； 在所述凹槽内填充阻挡材料； 进行平坦化处理，形成位于所述凹槽内的阻挡结构； 对所述层间介质层和所述阻挡结构进行刻蚀，形成第一通孔和第二通孔，所述第一通孔位于所述栅极结构上且贯穿所述阻挡结构，所述第二通孔位于栅极结构至少一侧的衬底上且所述第二通孔的深度大于所述第一通孔。
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