天津大学马凯学获国家专利权
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龙图腾网获悉天津大学申请的专利一种基于HISL的高隔离度双极化阵列天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119726113B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411934537.5，技术领域涉及：H01Q1/52；该发明授权一种基于HISL的高隔离度双极化阵列天线是由马凯学;刘瑞鹏;武依;闫宁宁;王勇强设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于HISL的高隔离度双极化阵列天线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于HISL的高隔离度双极化阵列天线，采用双层混合集成悬置线HISL结构设计馈电网络实现高隔离度。其中，所述天线包括S1‑S10层，S2到S6层为HISL结构1，S6到S10为HISL结构2。通过利用正交双层HISL馈电结构可以有效提高双极化阵列天线的极化隔离度，如图所示，所提出的双极化阵列天线的极化隔离度在26.5‑40GHz工作带宽内低于‑65dB。通过在顶层辐射结构上方增加金属栅格结构，有效减小阵元之间的耦合，进而提高增益，使两个极化方向的最大增益分别达到21dBi。
本发明授权一种基于HISL的高隔离度双极化阵列天线在权利要求书中公布了：1.一种基于HISL的高隔离度双极化阵列天线，其特征在于，采用双层混合集成悬置线HISL结构设计馈电网络实现高隔离度； 所述天线包括S1-S10层，S2到S6层为HISL结构1，S6到S10为HISL结构2； 其中，S1层为金属隔离结构，S2层为辐射结构，S3和S5层为Y极化方向的腔体结构，S4层为Y极化方向馈电网络结构，S6层为X极化的耦合结构，S7和S9层为X极化方向的腔体结构，S8层为X极化方向馈电网络，S10层为天线阵列的地；激励信号激励Y极化馈电网络后，激励信号到达辐射结构后实现辐射；激励信号激励X极化馈电网络后，通过S6层耦合结构后进而达到S4层，进而激励辐射结构实现辐射。
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