北京科技大学李成明获国家专利权
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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利减小大尺寸直流电弧等离子体CVD金刚石厚膜中应力的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119753620B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411791199.4，技术领域涉及：C23C16/27；该发明授权减小大尺寸直流电弧等离子体CVD金刚石厚膜中应力的方法是由李成明;周闯;刘鹏;陈良贤;黄珂;张建军;魏俊俊;刘金龙设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本减小大尺寸直流电弧等离子体CVD金刚石厚膜中应力的方法在说明书摘要公布了：一种减小大尺寸直流电弧等离子体CVD金刚石厚膜中应力的方法，属于金刚石材料制备领域。在直流电弧等离子体CVD沉积金刚石厚膜后，采用交流线圈对Mo衬底进行加热退火处理，降低生长应力；退火完成后，缓慢降低Mo衬底温度，使得金刚石厚膜热应力缓慢释放，从而得到低应力、无裂纹的大尺寸金刚石厚膜。本发明利用交流线圈对Mo衬底进行加热退火和缓慢降温处理，既可以降低金刚石厚膜的生长应力，也可以缓慢释放热应力，降低金刚石厚膜因为应力过大而崩裂的可能性，应用工艺相对简单、效果优良。所制备的大尺寸金刚石厚膜可用于集成半导体器件的热沉材料或光学窗口。
本发明授权减小大尺寸直流电弧等离子体CVD金刚石厚膜中应力的方法在权利要求书中公布了：1.一种减小大尺寸直流电弧等离子体CVD金刚石厚膜中应力的方法，其特征在于，步骤包括： 1、在Mo衬底上生长金刚石厚膜，生长温度为800-950℃；生长完成、准备降温关机之前，控制交流线圈从初始位置上升至与衬底同高； 2开始逐渐降低直流电弧等离子体CVD设备的电流，同时开启交流线圈电源系统，在Mo衬底中产生感应涡流； 3降低电流的同时，逐步升高交流线圈的电流，所述Mo衬底温度保持在生长温度； 4灭弧之后，迅速关闭气体，待真空泵将腔室压力抽至1Pa以下，继续升高交流线圈电流，提高输出功率，将Mo衬底加热至生长温度以上100-400℃保温退火1.5-2.5小时； 5待退火处理完成之后，缓慢降低所述交流线圈电流，直至Mo衬底的温度缓慢降低至室温；为确保热应力缓慢释放，降温过程中，通过红外测温仪观察到的Mo衬底温度变化保持在1℃min； 通过所述交流线圈对所述Mo衬底进行加热和缓慢降温处理，可有效减小金刚石厚膜中应力。
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