西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学龚子刚获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学申请的专利基于金刚石衬底的氮极性GaN HEMT器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767728B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411772218.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权基于金刚石衬底的氮极性GaN HEMT器件及制备方法是由龚子刚;余海洋;黄永设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于金刚石衬底的氮极性GaN HEMT器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于金刚石衬底的氮极性GaNHEMT器件及制作方法，该器件包括：金刚石衬底；SiNx层，位于金刚石衬底上；倒“T”型栅电极，包括横向结构和纵向结构，横向结构位于SiNx层内；AlGaN势垒层，位于SiNx层上，且纵向结构位于AlGaN势垒层内；AlN插入层，位于AlGaN势垒层上；GaN沟道层，位于AlN插入层上，其中GaN沟道层的镓极性面与AlN插入层接触；源电极和漏电极，位于器件两端，嵌入GaN沟道层且未与AlN插入层接触，其中GaN沟道层的氮极性面外露。本发明将氮极性GaN基HEMT器件中栅电极做到了背面，提高了栅控能力，进一步提高了器件的频率特性。
本发明授权基于金刚石衬底的氮极性GaN HEMT器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于金刚石衬底的氮极性GaNHEMT器件，其特征在于，所述器件包括： 金刚石衬底； SiNx层，位于所述金刚石衬底上； 倒“T”型栅电极，包括横向结构和纵向结构，所述横向结构位于所述SiNx层内； AlGaN势垒层，位于所述SiNx层上，且所述纵向结构位于所述AlGaN势垒层内； AlN插入层，位于所述AlGaN势垒层上； GaN沟道层，位于所述AlN插入层上；其中，所述GaN沟道层的镓极性面与所述AlN插入层接触； 源电极和漏电极，位于器件两端，嵌入所述GaN沟道层且未与所述AlN插入层接触；其中，所述GaN沟道层的氮极性面外露。
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