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龙图腾网获悉广州大学申请的专利一种基于二硫化钼墨水的人工突触器件及其阵列和制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767925B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510033721.0，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种基于二硫化钼墨水的人工突触器件及其阵列和制备方法是由李自豪;潘书生设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于二硫化钼墨水的人工突触器件及其阵列和制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种基于二硫化钼墨水的人工突触器件及其阵列和制备方法。该器件主要包括衬底、沟道、源漏极、PVDF‑TrFE铁电薄膜栅介质层和栅极；其中沟道材料为MoS2墨水薄膜；该器件为顶栅结构，即PVDF‑TrFE铁电薄膜栅介质层位于沟道上表面，栅极位于PVDF‑TrFE铁电薄膜栅介质层上表面，源极和漏极分别位于沟道两侧且与其接触。本发明所述人工突触器件具有大存储窗口、高开关比、快速响应的特点，具有非易失性存储特性、连续可调的权重更新、可高密度集成、可进行低功耗操作、响应时间快、耐久性强等优势，可实现生物突触行为的模拟。

本发明授权一种基于二硫化钼墨水的人工突触器件及其阵列和制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二硫化钼墨水的人工突触器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1采用电化学分子插层剥离法制备MoS2纳米片墨水；将聚偏氟乙烯-三氟乙烯PVDF-TrFE溶解到溶剂中，得到PVDF-TrFE栅介质溶液；所述MoS2纳米片墨水在450nm处的峰值吸光度为0.70，其溶剂为异丙醇； 2对衬底进行清洗，然后用氧等离子体处理； 3将MoS2纳米片墨水在步骤2处理过的衬底上旋转涂覆若干次，得到连续均匀的纳米片互连薄膜；然后，将膜整体进行酸洗和热退火；最后通过掩膜刻蚀得到半导体沟道；步骤3所述旋转涂覆的转速为2000rmin，每次涂覆的时间为60s；所述酸洗是指将膜整体浸入10mgmL双三氟甲烷磺酰亚胺的1,2-二氯乙烷溶液中，在80℃下保持1h；所述热退火是在惰性气体保护下进行，时间为1小时，温度为250~300℃； 4依次通过旋涂光刻胶、紫外光刻、显影、真空金属蒸镀和剥离的方法制备源漏电极到沟道两端； 5将PVDF-TrFE栅介质溶液旋涂在沟道上表面作为PVDF-TrFE铁电薄膜栅介质层，并进行干燥和真空热退火； 6栅极的制备：使用电极转移技术制备栅极，完成所述人工突触器件的制备； 步骤1所述MoS2纳米片墨水通过以下步骤制备：在电解质溶液中，以块状二硫化钼晶体和石墨薄片分别作为阴极和阳极；使用电化学工作站对阳极施加电压8~10V持续1小时；将膨胀后的MoS2在PVPDMF溶液中超声分散，得到的分散溶液进行离心以去除大块和未剥离的块，剩余的上清液进一步离心，得到的沉积物用异丙醇清洗，最后将沉积物分散在异丙醇中，得到所述MoS2纳米片墨水。

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