西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学韩超获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学申请的专利一种可调控鳍式JTE结构的碳化硅PiN及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789478B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411905626.7，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权一种可调控鳍式JTE结构的碳化硅PiN及其制备方法是由韩超;潘恩赐;周瑜;吴勇设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可调控鳍式JTE结构的碳化硅PiN及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可调控鳍式JTE结构的碳化硅PiN及其制备方法，该碳化硅PiN包括衬底、位于衬底之上的漂移层、对漂移层进行掺杂形成的正极掺杂区和负极掺杂区、对正极掺杂区和负极掺杂区之间的漂移层进行刻蚀形成的鳍式JTE结构、三面环绕鳍式JTE结构的终端氧化层、覆盖终端氧化层表面的终端金属层，位于正极掺杂区之上的正极金属层和位于负极掺杂区之上的负极金属层。本方案提供的一种可调控鳍式JTE结构的碳化硅PiN通过调节终端控制信号及终端电荷，能够形成适合不同工作环境下的终端电场分布，进而提升终端效率。
本发明授权一种可调控鳍式JTE结构的碳化硅PiN及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可调控鳍式JTE结构的碳化硅PiN，其特征在于，包括： 衬底； 漂移层，位于所述衬底之上； 对所述漂移层进行掺杂形成的正极掺杂区和负极掺杂区； 对所述正极掺杂区和所述负极掺杂区之间的漂移层进行刻蚀形成的鳍式JTE结构； 三面环绕所述鳍式JTE结构的终端氧化层； 覆盖所述终端氧化层表面的终端金属层； 位于所述正极掺杂区之上的正极金属层； 位于所述负极掺杂区之上的负极金属层。
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