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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学申请的专利一种碳化硅微区电荷调制终端结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789499B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411969917.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种碳化硅微区电荷调制终端结构是由韩超;毕胜锦;宋庆文;迟奔奔;汤晓燕;郭永征设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅微区电荷调制终端结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅微区电荷调制终端结构，该碳化硅微区电荷调制终端结构包括：碳化硅衬底层、N‑外延层、P+区域、阳极、阴极、SiO2钝化层和P‑JTE区，P‑JTE区与P+区域相邻设置，P‑JTE区设置于N‑外延层的内部，且P‑JTE区的上表面与SiO2钝化层的底面接触，P‑JTE区包括数个JTE分区，数个JTE分区的边缘与SiO2钝化层的底面之间形成夹角，相邻两个JTE分区之间的交叠深度小于等于P+区域的深度，P‑JTE区的深度大于等于P+区域的深度。本发明的微区电荷调制终端结构对JTE边缘进行结构修正，构造斜面几何掺杂结构，形成边缘局部理想变化的电荷梯度，实现了JTE边缘电场优化，使电场均匀化。

本发明授权一种碳化硅微区电荷调制终端结构在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅微区电荷调制终端结构，其特征在于，包括： 碳化硅衬底层； N-外延层，所述N-外延层设置于所述碳化硅衬底层的上方； P+区域，所述P+区域设置于所述N-外延层的内部，且所述P+区域的上表面与所述N-外延层的上表面齐平； 阳极，所述阳极设置于所述P+区域的上方； 阴极，所述阴极设置于所述碳化硅衬底层的背面； SiO2钝化层，所述SiO2钝化层设置于所述N-外延层上，且所述SiO2钝化层的底面与所述P+区域的上表面部分接触； P-JTE区，所述P-JTE区与所述P+区域相邻设置，所述P-JTE区设置于所述N-外延层的内部，且所述P-JTE区的上表面与所述SiO2钝化层的底面接触； 所述P-JTE区包括数个JTE分区，分别表示为JTE1分区、JTE2分区、JTE3分区......JTEn分区，n为JTE分区的个数，n＝2～10； 数个所述JTE分区的边缘与所述SiO2钝化层的底面之间形成夹角θ1、θ2、θ3......θn，所述θ1、θ2、θ3......θn为5～30°，且满足θn≤θn-1≤......≤θ2≤θ1； 相邻两个所述JTE分区之间的交叠深度d0小于等于所述P+区域的深度dp； 相邻两个所述JTE分区之间的交叠长度L＝d0tanθn-1+d0tanθn； 所述P-JTE区的深度dn大于等于所述P+区域的深度dp。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学，其通讯地址为：241002 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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