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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种基于fano共振的彩色辐射制冷薄膜及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119805640B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510015351.8，技术领域涉及：G02B5/08；该发明授权一种基于fano共振的彩色辐射制冷薄膜及制备方法是由卜轶坤;靳雨衡;陈楠设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于fano共振的彩色辐射制冷薄膜及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于fano共振的彩色辐射制冷薄膜及制备方法，该薄膜包括由下至上依次层叠设置的结构：M1D1M2D1AD’，该薄膜的结构为非对称结构，其中，M1表示第一金属层，M2表示第二金属层，A表示吸收层，D1表示第一介质层，D’表示膜层材料对称的介质层单元；M1D1M2结构是一个离散态，作为窄带光吸收器，M2D1AD’结构是一个连续态，作为宽带光吸收器，D’作为连续态的减反射层，窄带光吸收器和宽带光吸收器通过共用第二金属层M2进行耦合，实现fano共振。本发明具有高纯度、颜色可调的反射式结构色，并在太阳光谱波段具有高反射率，在大气窗口具有高发射率，从而实现优异的辐射制冷效果。

本发明授权一种基于fano共振的彩色辐射制冷薄膜及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于fano共振的彩色辐射制冷薄膜，其特征在于，该薄膜包括由下至上依次层叠设置的结构：M1D1M2D1AD’，该薄膜的结构为非对称结构，其中，M1表示第一金属层，M2表示第二金属层，A表示吸收层，D1表示第一介质层，D’表示膜层材料对称的介质层单元；M1D1M2结构是一个离散态，作为窄带光吸收器，M2D1AD’结构是一个连续态，作为宽带光吸收器，D’作为连续态的减反射层，窄带光吸收器和宽带光吸收器通过共用第二金属层M2进行耦合，实现fano共振； 所述膜层材料对称的介质层单元D’包括由下至上依次层叠设置的结构：D2D3D4D3D2^s，其中，D2表示第二介质层，D3表示第三介质层，D4表示第四介质层，s表示重复堆叠次数，s为正整数；当s为奇数时，该结构为以D4的膜层材料为中心的膜层材料对称结构，当s为偶数时，该结构为以D2的膜层材料为中心的膜层材料对称结构； 所述第一金属层M1的材料采用Au、Ag、Al、Ni和Cr中的一种； 所述第二金属层M2的材料采用Au、Ag、Al、Ni和Cr中的一种； 所述吸收层A为在380nm-780nm波长范围内消光系数介于0.2-3之间，采用GST、GSST、Ge、Ti和W中的一种； 所述第一介质层D1为在380nm-780nm波长范围内折射率介于1.2-3之间的全介质薄膜材料，采用MgF2、LaTiO3、SiO2、Ta2O5、TiO2和HfO2中的一种； 所述第二介质层D2为在0.3um-2.5um波长范围内折射率介于1.2-3之间和消光系数为0-0.5且在8um-13um波长范围内消光系数为0-0.5的全介质薄膜材料，采用MgF2； 所述第三介质层D3和第四介质层D4为在0.3um-2.5um波长范围内折射率介于1.2-3之间和消光系数为0-0.5且在8um-13um波长范围内消光系数介于0.5-3之间的全介质薄膜材料，采用SiO2、TiO2、Al2O3、SiN和Si3N4中的一种； 所述第一金属层M1的厚度范围为100nm以上； 所述第二金属层M2的厚度范围在5nm-30nm； 所述吸收层A的厚度范围在1-30nm之间； 所述第一介质层D1的厚度范围在10nm-1000nm之间； 所述第二介质层D2、第三介质层D3和第四介质层D4的厚度范围在10nm-800nm之间。

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