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龙图腾网获悉湖南大学;长沙半导体技术与应用创新研究院申请的专利一种用于晶片的化学机械抛光工艺参数的优化方法及化学机械抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119820467B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411879478.6，技术领域涉及：B24B37/04；该发明授权一种用于晶片的化学机械抛光工艺参数的优化方法及化学机械抛光方法是由胡伟;刘笑生设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于晶片的化学机械抛光工艺参数的优化方法及化学机械抛光方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于晶片的化学机械抛光工艺参数的优化方法及抛光方法，以抛光工艺，采用化学机械抛光机对晶片进行抛光处理，测定抛光结果1；改变所述抛光工艺的参数中的至少1个，采用化学机械抛光机对晶片进行抛光处理，测定抛光结果1’；比较抛光结果1和抛光结果1’；若抛光结果1’不优于抛光结果1，则继续改变所述参数，直至抛光结果1’优于抛光结果1；若抛光结果1’优于抛光结果1，则直接进行后续步骤；在此基础上，改变抛光工艺中的其他参数，获得多个参数被优化后的抛光工艺；重复上述操作，直至获得目标参数均被优化后的抛光工艺。本发明对化学机械抛光工艺的参数进行系统优化，提升抛光工艺参数设置的科学性、合理性，提升抛光质量。

本发明授权一种用于晶片的化学机械抛光工艺参数的优化方法及化学机械抛光方法在权利要求书中公布了：1.一种用于晶片的化学机械抛光工艺参数的优化方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、以抛光工艺，采用化学机械抛光机对晶片进行抛光处理，测定抛光结果1； 其中，所述抛光工艺包括至少2个参数； S2、改变所述抛光工艺的参数中的至少1个，采用化学机械抛光机对晶片进行抛光处理，测定抛光结果1’； 比较抛光结果1和抛光结果1’； S3、若抛光结果1’不优于抛光结果1，则继续改变S2中所改变的参数，并重复S2-S3，直至抛光结果1’优于抛光结果1，此时抛光结果1’所对应的抛光工艺即为相关参数被优化后的抛光工艺； 若抛光结果1’优于抛光结果1，则将此时抛光结果1’所对应的抛光工艺作为相关参数被优化后的抛光工艺，并直接进行S4； S4、在S3所确定的相关参数被优化后的抛光工艺的基础上，改变抛光工艺中的其他参数中的至少1个，重复S2-S3，获得多个参数被优化后的抛光工艺； S5、重复S4，直至获得目标参数均被优化后的抛光工艺； 其中，各个步骤中，所用化学机械抛光机为同一台或同一型号，所用晶片为同一种晶片。

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