西安电子科技大学芜湖研究院龚建彪获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种pGaN栅增强型器件及其自终止刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119835958B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411916543.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种pGaN栅增强型器件及其自终止刻蚀方法是由龚建彪;陈兴;谢雨峰;万瑾锡设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种pGaN栅增强型器件及其自终止刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种pGaN栅增强型器件及其自终止刻蚀方法，其自终止刻蚀方法包括：在衬底层上依次生长成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、高Al组分层和p‑GaN层；刻蚀掉除栅电极区域外的p‑GaN层，以露出高Al组分层；对高Al组分层进行F等离子体表面处理，以在高Al组分层的上表面形成AlF3层；刻蚀器件两端源漏电极区域的AlF3层直至势垒层的上表面，并在势垒层的上表面形成源电极和漏电极；其中，源电极靠近p‑GaN层；剩余AlF3层作为钝化层以保护势垒层；在p‑GaN层的上表面形成栅电极。本发明有效改善了刻蚀后势垒层的表面粗糙度，同时有效抑制了器件的栅极泄漏电流。
本发明授权一种pGaN栅增强型器件及其自终止刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种pGaN栅增强型器件的自终止刻蚀方法，其特征在于，所述自终止刻蚀方法包括： 在衬底层上依次生长成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、高Al组分层和p-GaN层； 刻蚀掉除栅电极区域外的p-GaN层，以露出所述高Al组分层； 对所述高Al组分层进行F等离子体表面处理，以在所述高Al组分层的上表面形成厚度为0.5nm～1nm的AlF层； 刻蚀器件两端源漏电极区域的所述AlF层直至所述势垒层的上表面，并在所述势垒层的上表面形成源电极和漏电极；其中，所述源电极靠近所述p-GaN层；剩余所述AlF层作为钝化层以保护所述势垒层； 在所述p-GaN层的上表面形成栅电极。
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