上海交通大学仰志斌获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利基于溶剂工程的大面积锡基窄带隙钙钛矿薄膜制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119836197B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510018879.0，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权基于溶剂工程的大面积锡基窄带隙钙钛矿薄膜制备方法是由仰志斌;孙敬林;俞超设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于溶剂工程的大面积锡基窄带隙钙钛矿薄膜制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于溶剂工程的大面积锡基窄带隙钙钛矿薄膜制备方法，以及由此制备的窄带隙钙钛矿薄膜、单结窄带隙钙钛矿模组和全钙钛矿叠层模组。本发明使用含吡啶的混合溶剂体系，其中吡啶和二价锡离子之间有着更强的配位作用，可以有效地形成强电子供体‑受体配合物中间相，通过改变热力学过程来调节晶体生长过程。此外，吡啶具有较高的饱和蒸汽压，同时结合创新的真空辅助退火的方法，通过改变动力学过程来调节了钙钛矿相转化速率。最终，获得了均匀致密的窄带隙钙钛矿薄膜，相应的10.4cm2的全钙钛矿叠层太阳能组件获得了22.9％的光电转化效率。
本发明授权基于溶剂工程的大面积锡基窄带隙钙钛矿薄膜制备方法在权利要求书中公布了：1.一种窄带隙钙钛矿薄膜的制备方法，包括： S1：按FA0.8Cs0.2Pb0.5Sn0.5I3的摩尔比，将碘化甲脒、碘化铯、碘化锡、碘化铅、氟化锡和硫氰酸铅溶解在N,N-二甲基甲酰胺DMF二甲基亚砜DMSO吡啶的混合溶剂中，室温下搅拌3小时，过滤，获得窄带隙钙钛矿前驱体溶液； S2：将窄带隙钙钛矿前驱体溶液涂布在基底上，形成湿膜； S3：将湿膜在100-105℃和10-100Pa压力下真空退火10分钟，获得窄带隙钙钛矿薄膜。
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