西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学韩超获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学申请的专利一种三维结构SiC超级结二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866019B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411952798.X，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种三维结构SiC超级结二极管及其制备方法是由韩超;杜丰羽;白博仪设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维结构SiC超级结二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种三维结构SiC超级结二极管及其制备方法，该二极管制的p+型SiC外延层呈间隔设置的多个半球形，n+型SiC外延层沉积在p+型SiC外延层之上，n+型电子传输层设置在左侧部分的两个半球形之间，且位于n+型SiC外延层内部；场氧钝化层沉积在n+型SiC外延层的右侧部分之上，阳极PAD正对每个半球形中心位置存在凹槽。本发明使用碱土掺杂氧化硅掩膜的退火回流工艺技术来实现三维结构刻蚀掩膜解决了实现三维结构超级结结构的难题，使得p+型SiC外延层呈多个半球形的三维超级结结构，基于该结构制备的超结二极管拥有更优秀的电压电阻平衡能力，可在同等电压等级条件下实现更低的电阻。
本发明授权一种三维结构SiC超级结二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维结构SiC超级结二极管，其特征在于，包括：n+型SiC衬底1、 p+型SiC外延层2、n+型SiC外延层3、n+型电子传输层4、场氧钝化层5、欧姆接触6、阳极PAD7、钝化保护层8和阴极PAD9； 其中，p+型SiC外延层2呈多个半球形，间隔设置在所述n+型SiC衬底1之上；所述n+型SiC外延层3沉积在p+型SiC外延层2之上，所述n+型电子传输层4设置在左侧部分的两个半球形之间，且位于所述n+型SiC外延层3内部；所述场氧钝化层5沉积在所述n+型SiC外延层3的右侧部分之上，所述阳极PAD7沉积在所述n+型SiC外延层3的左侧部分之上，且正对每个半球形中心位置存在凹槽；所述钝化保护层8沉积在所述场氧钝化层5之上，所述欧姆接触6设置在所述n+型SiC衬底1背面，所述阴极PAD9沉积在所述欧姆接触6上。
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