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龙图腾网获悉重庆邮电大学;电子科技大学重庆微电子产业技术研究院申请的专利一种应用于流水线逐次逼近型ADC的开环残差放大器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119891973B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411935635.0，技术领域涉及：H03F1/32；该发明授权一种应用于流水线逐次逼近型ADC的开环残差放大器电路是由唐鹤;陈奕帆;陈磊;彭析竹;姚佳;王艾;张万里设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于流水线逐次逼近型ADC的开环残差放大器电路在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种应用于流水线逐次逼近型ADC的开环残差放大器电路；包括：差分输入电路、尾电流电路、第三PMOS管Mp3、第四PMOS管Mp4、第三NMOS管Mn3和第四NMOS管Mn4；第三PMOS管Mp3、第四PMOS管Mp4、第三NMOS管Mn3和第四NMOS管Mn4均与差分输入电路连接；尾电流电路与第三NMOS管Mn3、第四NMOS管Mn4连接；不需要设计很高的开环增益，不需要复杂的共模电压检测电路，电路结构简单，降低了电路设计难度，且本发明为动态电路，大大降低了电路功耗，适用于低功耗ADC设计；本发明为推挽式输入方式，大大提高了输入跨导，具有大带宽的特点，适用于高速ADC设计。

本发明授权一种应用于流水线逐次逼近型ADC的开环残差放大器电路在权利要求书中公布了：1.一种应用于流水线逐次逼近型ADC的开环残差放大器电路，其特征在于，包括：差分输入电路、尾电流电路、第三PMOS管Mp3、第四PMOS管Mp4、第三NMOS管Mn3和第四NMOS管Mn4； 第三PMOS管Mp3、第四PMOS管Mp4、第三NMOS管Mn3和第四NMOS管Mn4均与差分输入电路连接；尾电流电路与第三NMOS管Mn3、第四NMOS管Mn4连接； 所述差分输入电路包括第一NMOS管Mn1、第二NMOS管Mn2、第五NMOS管Mn5、第六NMOS管Mn6、第一PMOS管Mp1、第二PMOS管Mp2、第五PMOS管Mp5和第六PMOS管Mp6；第二NMOS管Mn2、第五NMOS管Mn5、第二PMOS管Mp2和第五PMOS管Mp5的栅极均连接第一输入信号VIP；第一NMOS管Mn1、第六NMOS管Mn6、第一PMOS管Mp1和第六PMOS管Mp6的栅极均连接第二输入信号VIN；第一PMOS管Mp1的源极连接第五PMOS管Mp5的源极和第三PMOS管Mp3的漏极，第一PMOS管Mp1的漏极连接第三PMOS管Mp3的栅极、第一NMOS管Mn1的漏极和第三NMOS管Mn3的栅极；第二PMOS管Mp2的源极连接第六PMOS管Mp6的源极和第四PMOS管Mp4的漏极，第二PMOS管Mp2的漏极连接第四PMOS管Mp4的栅极、第二NMOS管Mn2的漏极和第四NMOS管Mn4的栅极；第一NMOS管Mn1的源极连接第五NMOS管Mn5的源极和第三PMOS管Mp3的漏极；第二NMOS管Mn2的源极连接第六NMOS管Mn6的源极和第四NMOS管Mn4的漏极；第五PMOS管Mp5的漏极连接第五NMOS管Mn5的漏极，第六PMOS管Mp6的漏极连接第六PMOS管Mp6的漏极； 第五PMOS管Mp5的漏极还通过第一开关连接第一电容一端，第六PMOS管Mp6的漏极还通过第二开关连接第二电容一端；第一电容和第二电容另一端均接地； 第五PMOS管Mp5的漏极连接电阻一端，第六PMOS管Mp6的漏极连接电阻另一端，第五PMOS管Mp5、第五NMOS管Mn5、第六PMOS管Mp6、第六PMOS管Mp6以及电阻组成推挽式输出电路； 第三PMOS管Mp3的源极和第四PMOS管Mp4的源极均连接电源VDD。

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