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龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种低成本、易成型的硅基外延磁光薄膜及制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119902389B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510320435.2，技术领域涉及：G02F1/09；该发明授权一种低成本、易成型的硅基外延磁光薄膜及制备方法和应用是由胡晓琳;林育玲;张澎湃;张颖;王子薇;谢嘉芳;庄乃锋设计研发完成，并于2025-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低成本、易成型的硅基外延磁光薄膜及制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低成本、易成型的硅基外延磁光薄膜及制备方法和应用，其采用原位共生技术将具强磁光效应但极易团聚的ZnFe2O4纳米粒子均匀分散于有固定孔隙的ZIF‑8中，并用PgC5Cu作为桥联剂对ZIF‑8表面进行修饰，之后将其均匀分散于紫外光胶中制成胶液，再将所得胶液均匀涂覆在硅基上，经紫外固化成功构建出具有优异磁光特性的硅基外延薄膜材料。本发明制备方法相对简便且可操作性强，所制得的薄膜材料在磁光性能方面表现突出，在磁光存储、磁光传感器以及光电集成、微纳光学器件等多种领域展现出良好的应用潜力，为磁光薄膜研究与器件开发提供了一种极具价值的新型材料。

本发明授权一种低成本、易成型的硅基外延磁光薄膜及制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种硅基外延磁光薄膜的制备方法，其特征在于：先利用ZIF-8包裹ZnFe2O4纳米颗粒，制得ZnFe2O4-ZIF-8，然后采用戊基邻苯芳烃铜对其进行表面修饰，得到ZnFe2O4-ZIF-8@PgC5Cu，再将所得ZnFe2O4-ZIF-8@PgC5Cu与紫外光胶混合制成胶液，并将胶液均匀涂覆在硅基上，经紫外固化，制得厚度均匀一致的硅基高分子磁光薄膜； 所述ZnFe2O4-ZIF-8的制备包括以下步骤： 1将FeSO4·7H2O、CH3COO2Zn·2H2O加入去离子水中混合均匀，制得溶液A； 2将2-甲基咪唑加入去离子水中混合均匀，制得溶液B； 3将溶液B快速倒入溶液A中，搅拌30min后转移至反应釜中进行反应，反应后冷却至室温，再将所得产物经洗涤制得； 所用ZnFe2O4-ZIF-8@PgC5Cu与紫外光胶混合的质量比为1:50~1:200；所述紫外光胶是由聚氨酯丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯以及2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦按重量比7:2:1混合制成。

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