西安电子科技大学陶鸿昌获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种高热导率的AlGaN/InxAl1-xSb高电子迁移率晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119907262B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510057812.8，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种高热导率的AlGaN/InxAl1-xSb高电子迁移率晶体管及其制备方法是由陶鸿昌;路博文;许晟瑞;张涛;苏华科;高源;刘旭;王心颢;郝跃设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高热导率的AlGaN/InxAl1-xSb高电子迁移率晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高热导率的AlGaNInxAl1‑xSb高电子迁移率晶体管及其制备方法，晶体管包括：高热导率衬底层、缓冲层、InxAl1‑xSb沟道层、AlGaN势垒层、帽层、源极、漏极、钝化层和栅极；其中，x的取值范围为0.8～1；InxAl1‑xSb沟道层和AlGaN势垒层形成AlGaNInxAl1‑xSb异质结。本发明的AlGaNInxAl1‑xSb异质结具有更大的禁带宽度差异，能够在沟道中产生浓度更高的2DEG，并通过高热导率衬底层提升器件的散热性能，提升器件的开关特性和在高温大功率下应用场景下的性能和稳定性。
本发明授权一种高热导率的AlGaN/InxAl1-xSb高电子迁移率晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高热导率的AlGaNInxAl1-xSb高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：高热导率衬底层1、缓冲层2、InxAl1-xSb沟道层3、AlGaN势垒层4、帽层5、源极6、漏极7、钝化层8和栅极9； 所述高热导率衬底层1、所述缓冲层2、所述InxAl1-xSb沟道层3、所述AlGaN势垒层4和所述帽层5自下而上依次设置；其中，x的取值范围为0.8～1；所述InxAl1-xSb沟道层3和所述AlGaN势垒层4形成AlGaNInxAl1-xSb异质结； 所述源极6和所述漏极7间隔设置在所述帽层5的上表面； 所述钝化层8覆盖在所述帽层5、所述源极6和所述漏极7的表面； 所述栅极9设置在所述源极6和所述漏极7之间，且由所述钝化层8的上表面贯穿至所述帽层5的上表面。
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