东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司赵昕获国家专利权
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龙图腾网获悉东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司申请的专利一种光学临近修正方法、装置、设备以及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119916638B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510308582.8，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权一种光学临近修正方法、装置、设备以及存储介质是由赵昕;丁明设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光学临近修正方法、装置、设备以及存储介质在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种光学临近修正方法、装置、设备以及存储介质，包括：根据目标晶圆的结构布局信息，构建出三维薄膜堆叠模型。基于光刻参数信息对三维薄膜堆叠模型进行光刻模拟，确定出模拟尺寸数据和模拟光刻胶三维数据。精确仿真出三维晶圆在光刻过程中的实际光强分布，模拟后结果为后续修正过程提供有力参考依据，从而提高修正过程的实用性。根据标准尺寸数据和标准光刻胶三维数据，进行光学临近修正。本申请实施例提供的技术方案可以在进行光学临近效应修正过程中，从三维层次充分考虑目标晶圆的多层次结构，有效提高后续光刻模拟过程的真实性和实用性，结合晶圆结构考虑真实光强分布，提升光学临近修正效果以及合规晶圆的生产效率。
本发明授权一种光学临近修正方法、装置、设备以及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种光学临近修正方法，其特征在于，包括： 根据目标晶圆对应的结构布局信息和预设的光刻工艺数据，构建目标晶圆对应的三维薄膜堆叠模型，所述光刻工艺数据包括喷涂参数、沉积参数、化学机械研磨参数以及刻蚀参数中的至少一项参数； 获取所述目标晶圆对应的标准尺寸数据和标准光刻胶三维数据； 根据预设的光刻参数信息，对所述三维薄膜堆叠模型进行光刻模拟，确定所述三维薄膜堆叠模型对应的模拟尺寸数据和模拟光刻胶三维数据； 根据所述模拟尺寸数据与所述标准尺寸数据，以及所述模拟光刻胶三维数据与所述标准光刻胶三维数据，针对所述目标晶圆进行光学临近修正。
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