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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种非对称工艺单刀双掷射频开关器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922961B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411969928.0，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种非对称工艺单刀双掷射频开关器件及其制备方法是由张濛;邹旭;杨凌;姜雨彤;侯斌;武玫;宓珉瀚;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非对称工艺单刀双掷射频开关器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种非对称工艺单刀双掷射频开关器件及其制备方法，该开关器件包括：衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、注入隔离区、RX端漏极、RX端源极、TX端漏极、TX端源极、氧化层、钝化层、RX端栅极、TX端栅极和源极互联金属；其中，RX端源极、TX端源极和源极互联金属构成公共端。本发明在接收端RX采用贯穿钝化层的RX端栅极，在传输端TX采用贯穿氧化层和钝化层的TX端栅极，以构成非对称结构，从而得到双端具有不同射频开关性能的开关器件。相较于传统的两路径采用不同的电路拓扑结构，本发明在设计结构上更加简单，性能所需要的差异性调控更加明显，电路所占用面积更小，极大地节约了成本。

本发明授权一种非对称工艺单刀双掷射频开关器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种非对称工艺单刀双掷射频开关器件，其特征在于，包括： 衬底1、缓冲层2、沟道层3、势垒层4、注入隔离区5、RX端漏极6、RX端源极7、TX端漏极8、TX端源极9、氧化层10、钝化层11、RX端栅极12、TX端栅极13和源极互联金属14；其中， 所述衬底1、所述缓冲层2、所述沟道层3和所述势垒层4由下自上依次设置； 所述注入隔离区5设置于所述沟道层3和所述势垒层4的横向的中间区域，贯穿所述沟道层3和所述势垒层4； 所述RX端漏极6设置于所述势垒层4一端的上表面部分区域； 所述RX端源极7设置于所述势垒层4的上表面中连接所述注入隔离区5且靠近所述RX端漏极6的部分区域； 所述TX端漏极8设置于所述势垒层4另一端的上表面部分区域； 所述TX端源极9设置于所述势垒层4的上表面中连接所述注入隔离区5且靠近所述TX端漏极8的部分区域； 所述氧化层10设置于所述势垒层4的上表面； 所述钝化层11设置于所述氧化层10的上表面； 所述RX端栅极12设置于所述RX端漏极6和RX端源极7之间的钝化层的横向的中间区域，贯穿所述钝化层11； 所述TX端栅极13设置于所述TX端漏极8和TX端源极9之间的钝化层和氧化层的横向的中间区域，贯穿所述氧化层10和所述钝化层11； 所述源极互联金属14设置于所述RX端源极7和所述TX端源极9的上表面，连接所述RX端源极7和所述TX端源极9；所述RX端源极7和所述TX端源极9和源极互联金属14构成公共端。

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