华中科技大学程晓敏获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种双维度记忆结器件及其制备、性能获取和应用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947275B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510209204.4，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权一种双维度记忆结器件及其制备、性能获取和应用方法是由程晓敏;罗云皓;吴纯辉;曹丽娟;缪向水设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双维度记忆结器件及其制备、性能获取和应用方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体光电器件与微纳米电子领域，具体公开了一种双维度记忆结器件及其制备、性能获取和应用方法。其中，双维度记忆结器件包括第一接触电极、掺杂n型Si层、AgOx电荷俘获层和第二接触电极；AgOx电荷俘获层与掺杂n型Si层组合形成异质结阻变区；异质结阻变区用于基于AgOx电荷俘获层中的陷阱电离和去电离转变，在电压驱动下，在光伏响应度和电导两个维度上，实现记忆强度连续可调与相互耦合，并具有非易失性。本申请可以在光伏、电导两个不同维度上记忆信息，仅通过一种器件构建的两种维度阵列可搭建紧凑高效的机器视觉系统。
本发明授权一种双维度记忆结器件及其制备、性能获取和应用方法在权利要求书中公布了：1.一种双维度记忆结器件，其特征在于，包括自下而上依次堆叠的第一接触电极、掺杂n型Si层、AgOx电荷俘获层和第二接触电极；其中，0.4x1.2； 掺杂n型Si层费米能级低于其禁带中线能级；AgOx电荷俘获层与掺杂n型Si层组合形成异质结阻变区；AgOx电荷俘获层面积大于第二接触电极面积； 第一接触电极和第二接触电极用于提供欧姆接触与电压驱动； 异质结阻变区用于基于AgOx电荷俘获层中的陷阱电离和去电离转变，在电压驱动下，在光伏响应度和电导两个维度上，实现记忆强度连续可调与相互耦合，并具有非易失性。
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