西安电子科技大学任泽阳获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利金刚石复合电导反型沟道增强型场效应管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967853B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510078423.3，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权金刚石复合电导反型沟道增强型场效应管及其制备方法是由任泽阳;邢新泽;张陈祥;陈军飞;张金风;苏凯;张涛;付裕;郝跃;张进成设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本金刚石复合电导反型沟道增强型场效应管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金刚石复合电导反型沟道增强型场效应管及其制备方法，该场效应管采用n型金刚石外延层和具有p型二维空穴气的氢终端p型导电层构成栅下沟道。对本发明所提出的增强型场效应管中的栅电极加正栅压时，栅下沟道的二维空穴气导电，空穴被排斥耗尽，沟道关断；栅电极为零栅压时，n型金刚石外延层的电子和氢终端p型导电层的空穴，在浓度相当的情况下，抵消中和，沟道关断；栅电极加负栅压时，氢终端p型导电层的空穴被吸引，n型金刚石外延层的电子被排斥，形成反型沟道，沟道导通，从而实现导电性较好的导通沟道。在氢终端p型导电层形成的源漏电流，可以提高场效应管的栅下载流子浓度，提高电流密度，降低沟道电阻，增强栅控能力。
本发明授权金刚石复合电导反型沟道增强型场效应管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金刚石复合电导反型沟道增强型场效应管，其特征在于，包括： 本征金刚石层1、n型金刚石外延层2、氢终端p型导电层2a、源电极3a、漏电极3b、栅介质4和栅电极5；其中， 所述n型金刚石外延层2，设置于所述本征金刚石层1的上表面中间的栅极位置区域； 所述氢终端p型导电层2a，设置于所述本征金刚石层1的上表面的下方区域； 所述源电极3a，设置于所述本征金刚石层1的上表面的一端； 所述漏电极3b，设置于所述本征金刚石层1的上表面的另一端； 所述栅介质4，设置于所述本征金刚石层1的上表面的剩余区域和所述n型金刚石外延层2的上表面； 所述栅电极5，设置于栅极位置区域对应的所述栅介质4的上表面。
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