西安电子科技大学张涛获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利MIM型栅极GaN P沟道场效应管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967854B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510078427.1，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权MIM型栅极GaN P沟道场效应管及其制备方法是由张涛;陈嘉豪;李祥东;苏华科;许晟瑞;任泽阳;张进成设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本MIM型栅极GaN P沟道场效应管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MIM型栅极GaNP沟道场效应管及其制备方法，该器件包括：自下至上依次层叠的P沟道层和帽层，帽层上表面设置有延伸至p沟道层的栅极凹槽；设置在栅极凹槽中且与p沟道层肖特基接触的第一栅极金属层；分别设置在帽层上表面的两侧的源极和漏极；设置在帽层的上表面且在源极与漏极之间，同时覆盖第一栅极金属层的上表面的绝缘的栅极介质层；设置在栅极介质层的上表面，且位于第一栅极金属层的上方的第二栅极金属层。本发明提供的氮化镓P沟道场效应管能够避免阈值电压漂移现象，减少栅极漏电流。
本发明授权MIM型栅极GaN P沟道场效应管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MIM型栅极GaNP沟道场效应管，其特征在于，包括： 自下至上依次层叠的P沟道层和帽层，所述帽层的上表面设置有延伸至所述P沟道层中的栅极凹槽； 第一栅极金属层，所述第一栅极金属层设置在所述栅极凹槽中，且与所述P沟道层肖特基接触； 源极、漏极，所述源极和漏极分别设置在所述帽层上表面的两侧； 绝缘的栅极介质层，所述栅极介质层设置在所述帽层的上表面且在所述源极与所述漏极之间，同时覆盖所述第一栅极金属层的上表面； 第二栅极金属层，所述第二栅极金属层设置在所述栅极介质层的上表面，且位于所述第一栅极金属层的上方。
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