西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院任泽阳获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种选择生长调控掺杂浓度的金刚石二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018524B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510146327.8，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种选择生长调控掺杂浓度的金刚石二极管及其制备方法是由任泽阳;王超玥;张金风;付裕;苏凯;陈军飞;祝子辉;郝跃;张进成设计研发完成，并于2025-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种选择生长调控掺杂浓度的金刚石二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种选择生长调控掺杂浓度的金刚石二极管及其制备方法，该制备方法包括：在100晶向的本征金刚石衬底上生长100晶向的轻掺杂金刚石层；在轻掺杂金刚石层的上表面刻蚀形成凹槽，凹槽的深度小于轻掺杂金刚石层的厚度；在凹槽中进行选择性生长，形成111晶向的重掺杂金刚石层；去除轻掺杂金刚石层的上表面和重掺杂金刚石层的上表面的氢终端；在重掺杂金刚石层的上表面生长欧姆电极；在轻掺杂金刚石层的上表面生长肖特基电极，欧姆电极与肖特基电极间隔设置。本发明可以将器件漂移区和欧姆接触区载流子浓度差提高到4～5个数量级，提升肖特基二极管的反向击穿电压、击穿场强正向导电性能，降低漏电流。
本发明授权一种选择生长调控掺杂浓度的金刚石二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种选择生长调控掺杂浓度的金刚石二极管的制备方法，其特征在于，包括： S1：在100晶向的本征金刚石衬底上生长100晶向的轻掺杂金刚石层，所述轻掺杂金刚石层的掺杂元素为磷或硼； S2：在所述轻掺杂金刚石层的上表面刻蚀形成凹槽，所述凹槽的深度小于所述轻掺杂金刚石层的厚度； S3：在所述凹槽中进行选择性生长，形成111晶向的重掺杂金刚石层，其中，所述重掺杂金刚石层的掺杂浓度比所述轻掺杂金刚石层的掺杂浓度高4~5个数量级，所述重掺杂金刚石层与所述轻掺杂金刚石层具有相同的掺杂元素； S4：去除所述轻掺杂金刚石层的上表面和所述重掺杂金刚石层的上表面的氢终端； S5：在去除氢终端后的重掺杂金刚石层的上表面生长欧姆电极； S6：在去除氢终端后的轻掺杂金刚石层的上表面生长肖特基电极，所述欧姆电极与所述肖特基电极间隔设置。
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