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龙图腾网获悉西安芯存半导体有限公司申请的专利芯片外驱动器电路及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120045475B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411885476.8，技术领域涉及：G06F13/10；该发明授权芯片外驱动器电路及存储器是由耿嘉辉;赵建中设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片外驱动器电路及存储器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种芯片外驱动器电路及存储器，该芯片外驱动器电路应用于存储器，该芯片外驱动器电路包括驱动电路、上拉摆率控制电路及下拉摆率控制电路，驱动电路用于生成存储器的接口端的驱动信号；上拉摆率控制电路与驱动电路连接，用于对第一控制信号的下降沿进行延时调节，生成多个第一延迟信号，以调节驱动信号的上拉摆率；下拉摆率控制电路与驱动电路连接，用于对第二控制信号的上升沿进行延时调节，生成多个第二延迟信号，以调节驱动信号的下拉摆率。通过上述方式，本申请的芯片外驱动器电路可以对驱动信号的上拉和下拉的摆率分开进行调节，从而避免了驱动电路额外贯通电流的消耗，节省了存储器的功耗。

本发明授权芯片外驱动器电路及存储器在权利要求书中公布了：1.一种芯片外驱动器电路，其特征在于，应用于存储器，所述芯片外驱动器电路包括： 驱动电路，用于生成所述存储器的接口端的驱动信号； 上拉摆率控制电路，与所述驱动电路连接，用于对第一控制信号的下降沿进行延时调节，生成多个第一延迟信号，以调节所述驱动信号的上拉摆率； 下拉摆率控制电路，与所述驱动电路连接，用于对第二控制信号的上升沿进行延时调节，生成多个第二延迟信号，以调节所述驱动信号的下拉摆率； 其中，所述驱动电路包括多级并联的驱动子电路，每一个所述驱动子电路均包括耦接电源电压的第一晶体管和耦接地的第二晶体管，所述上拉摆率控制电路在调节所述驱动信号的上拉摆率时，多个所述第二延迟信号控制所有驱动子电路中的所有所述第二晶体管同时关闭，且多个所述第一延迟信号控制各级驱动子电路中的所述第一晶体管逐级开启；和或所述下拉摆率控制电路在调节所述驱动信号的下拉摆率时，多个所述第一延迟信号控制所有驱动子电路中的所有所述第一晶体管同时关闭，且多个所述第二延迟信号控制各级驱动子电路中的所述第二晶体管逐级开启。

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