西安电子科技大学苗田获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于肖特基结可调谐的宽光谱光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120051055B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510150628.8，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种基于肖特基结可调谐的宽光谱光电探测器及其制备方法是由苗田;王利明;孙子翔;张宁宁;张一驰;舒斌;胡辉勇设计研发完成，并于2025-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于肖特基结可调谐的宽光谱光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于肖特基结可调谐的宽光谱光电探测器，包括：N型硅衬底、栅极铁电介质、栅电极、源电极和漏电极；源电极、栅极铁电介质和漏电极依次设置在N型硅衬底上，栅电极设置在栅极铁电介质上；栅极铁电介质的材料为铁电材料氧化铪，栅极铁电介质和栅电极共同构成铁电栅极；栅电极的材料为透明的金属氧化物。本发明使用硅CMOS制造技术以及简洁的器件结构，极大的降低了硅基红外探测器的制备难度，并借助铁电受到红外光照极化强度减弱的特点，将硅基红外探测器的探测长波限扩展到了近红外波段。本发明还公开了一种基于肖特基结可调谐的宽光谱光电探测器的制备方法和应用。
本发明授权一种基于肖特基结可调谐的宽光谱光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于肖特基结可调谐的宽光谱光电探测器，其特征在于，包括：N型硅衬底、栅极铁电介质、栅电极、源电极和漏电极； 所述源电极、所述栅极铁电介质和所述漏电极依次设置在所述N型硅衬底上，所述栅电极设置在所述栅极铁电介质上；所述栅极铁电介质和所述栅电极构成铁电栅极； 所述栅极铁电介质的材料为铁电材料，所述铁电材料为氧化铪； 所述栅电极的材料为透明的金属氧化物； 其中，在对所述铁电栅极施加正电压脉冲或负电压脉冲时，红外光照射所述栅极铁电介质以使所述栅极铁电介质的极化强度减弱，以实现增加或降低沟道暗电流； 当对栅电极施加正电压脉冲时，所述栅极铁电介质获得向下极化态，当红外光照射栅电极时，使所述栅极铁电介质的向下的极化强度减弱，以实现增加沟道暗电流； 当对栅电极施加负电压脉冲时，所述栅极铁电介质获得向上极化态，当红外光照射栅电极时，使所述栅极铁电介质的向上的极化强度减弱，以实现降低沟道暗电流。
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