埃特曼半导体技术有限公司;埃特曼(厦门)光电科技有限公司;埃特曼(浙江)半导体技术有限公司林凡获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉埃特曼半导体技术有限公司;埃特曼(厦门)光电科技有限公司;埃特曼(浙江)半导体技术有限公司申请的专利外延片的制备方法和外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120089592B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510097242.5，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权外延片的制备方法和外延片是由林凡;张高俊;倪健;周均铭设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本外延片的制备方法和外延片在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种外延片的制备方法和外延片，制备方法包括：提供蓝宝石衬底；执行外延生长工艺，在加热条件下在蓝宝石衬底上外延生长GaN外延层，以得到外延片；其中，加热条件的加热温度随外延生长时间或者外延生长厚度呈先升高再降低的波动性变化，以减少外延生长过程中的外延表面的温度变化。由此，提高了外延片的质量。
本发明授权外延片的制备方法和外延片在权利要求书中公布了：1.一种外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供蓝宝石衬底； 执行外延生长工艺，在加热条件下在所述蓝宝石衬底上外延生长GaN外延层，以得到外延片； 其中，所述加热条件的加热温度随外延生长时间或者外延生长厚度呈先升高再降低的波动性变化，以减少外延生长过程中的外延表面的温度变化；其中，所述加热温度的变化根据历史温度变化规律确定，所述历史温度变化规律为第一温度随外延生长厚度变化的规律，所述第一温度为历史外延生长过程中的外延表面的温度，所述加热温度与所述第一温度具有相反的变化趋势。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人埃特曼半导体技术有限公司;埃特曼(厦门)光电科技有限公司;埃特曼(浙江)半导体技术有限公司，其通讯地址为：361000 福建省厦门市集美区后溪镇金岭北路159-7号101室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励