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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091573B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311605614.8，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由程凯设计研发完成，并于2023-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构，包括层叠设置的衬底和多沟道异质结层，多沟道异质结层包括多层异质结层，每层异质结层包括沟道层和势垒层，多沟道异质结层具有多个凹槽；P型外延层，P型外延层包括多个填充凹槽的第一P型区。通过第一P型区与异质结中的二维电子气形成横向PN结，在反偏时PN结耗尽区展宽以致夹断电流通道，有效屏蔽低势垒高度的肖特基结，可以抑制肖特基势垒降低效应及控制反向漏电流，从而提高击穿电压并保持较低的开启电压。同时利用多个异质结的堆叠在阴阳极之间形成多个并联的二维电子气通路，补偿第一P型区对二维电子气的耗尽，保证二极管的正向电流。

本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 层叠设置的衬底10和多沟道异质结层20，所述多沟道异质结层20远离所述衬底10的方向上为第1，2，…，n层异质结层，n≥2，每层所述异质结层包括沟道层21和势垒层22，所述多沟道异质结层20具有多个凹槽201，至少一个所述凹槽201的底面位于第1层异质结层的所述沟道层21中，多个所述凹槽201位于所述多沟道异质结层20的一端且沿第一方向间隔设置，每个所述凹槽201沿垂直于第一方向且平行于所述衬底10所在平面的第二方向延伸； P型外延层30，所述P型外延层30包括多个填充所述凹槽201的第一P型区31，其中，每层所述异质结层中的所述沟道层21和所述势垒层22的接触界面具有二维电子气，每个所述第一P型区31满足如下关系之一： 每个所述第一P型区31沿第二方向的长度在远离所述衬底10的方向上均匀增大或台阶状增大；或者 每个所述第一P型区31沿第一方向的长度在远离所述衬底10的方向上均匀增大或台阶状增大。

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