苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091586B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311629320.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由程凯设计研发完成，并于2023-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、第一沟道层、刻蚀掩膜层、第一势垒层、第二沟道层以及第二势垒层；其中，刻蚀掩膜层为多个条状结构，相邻两个条状结构之间为条状凹槽，条状凹槽的延伸方向为第一方向，条状凹槽贯穿刻蚀掩膜层且部分贯穿第一沟道层，第一势垒层保形地设置于条状凹槽中和刻蚀掩膜层上，第一势垒层包括对应条状凹槽的第二凹槽。本公开同时设计纵向多沟道和横向多沟道，在提高二维电子气浓度，降低沟道导通电阻的同时实现在较大栅源偏压范围内跨导的相对稳定，提高击穿电压，改善动态特性，从而提高器件线性度。
本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 依次层叠设置的衬底10、缓冲层20、第一沟道层30、刻蚀掩膜层40、第一势垒层50、第二沟道层60以及第二势垒层70； 其中，所述刻蚀掩膜层40为多个条状结构，相邻两个所述条状结构之间为条状凹槽31，所述条状凹槽31的延伸方向为第一方向，所述条状凹槽31贯穿所述刻蚀掩膜层40且部分贯穿所述第一沟道层30，所述第一势垒层50保形地设置于所述条状凹槽31中和所述刻蚀掩膜层40上，所述第一势垒层50包括对应所述条状凹槽31的第二凹槽51，所述第一势垒层50的禁带宽度大于所述刻蚀掩膜层40的禁带宽度并且所述刻蚀掩膜层40的禁带宽度大于所述第一沟道层30的禁带宽度，所述刻蚀掩膜层40的材料包括AlGaN。
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