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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于硅基锗单光子探测器的远距离测距芯片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111983B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510163048.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权基于硅基锗单光子探测器的远距离测距芯片的制备方法是由苗田;王利明;孙子翔;张宁宁;张一驰;胡辉勇设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于硅基锗单光子探测器的远距离测距芯片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于硅基锗单光子探测器的远距离测距芯片的制备方法，其基于硅基锗单光子探测器的远距离测距芯片的电路原理制成电路晶圆、SPAD晶圆和能够产生1550nm激光脉冲的激光器晶圆；处理SPAD晶圆，贴合处理过的SPAD晶圆与电路晶圆形成初步键合的晶圆；进而对其进行低温退火处理，制成电路SPAD集成晶圆；分割相应晶圆得到多个独立的电路SPAD集成芯片和激光器芯片；将任一激光器芯片与任一电路SPAD集成芯片通过基板焊接，并在激光器芯片所在区域和硅基锗SPAD探测器所在区域进行光学窗口设计，从而得到基于硅基锗单光子探测器的远距离测距芯片，实现单片集成，提高系统集成度，实现远距离测距系统小型化。

本发明授权基于硅基锗单光子探测器的远距离测距芯片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于硅基锗单光子探测器的远距离测距芯片的制备方法，其特征在于，包括： 基于硅基锗单光子探测器的远距离测距芯片的电路部分，采用标准硅CMOS工艺在一张晶圆上进行加工制备，制成电路晶圆，所述电路部分包括硅基锗SPAD读出与淬灭电路、TDC电路、控制与信号处理电路、激光器驱动电路和激光器控制电路； 基于所述基于硅基锗单光子探测器的远距离测距芯片的硅基锗SPAD探测器，制成SPAD晶圆； 制备激光器晶圆，所述激光器晶圆能够产生波长为1550nm的激光脉冲； 对所述SPAD晶圆进行减薄，去除多余的无器件结构的硅衬底部分，清洗减薄后的SPAD晶圆和所述电路晶圆，除表面的杂质，得到清洗过的SPAD晶圆和清洗过的电路晶圆； 翻转所述清洗过的电路晶圆，基于设计要求，对准所述清洗过的SPAD晶圆和翻转后的电路晶圆； 在室温下贴合所述清洗过的SPAD晶圆与所述翻转后的电路晶圆，形成初步键合的晶圆； 对所述初步键合的晶圆进行低温退火处理，得到低温退火后的键合的晶圆； 对所述低温退火后的键合的晶圆进行表面处理，制成电路SPAD集成晶圆； 分割所述电路SPAD集成晶圆，得到多个独立的电路SPAD集成芯片； 分割所述激光器晶圆，得到多个独立的激光器芯片； 采用倒装焊技术，利用导热胶与低温焊接材料，将任一所述激光器芯片与任一所述电路SPAD集成芯片通过基板焊接，并采用光学级树脂，对焊接后的芯片上的目标区域进行光学窗口设计，所述目标区域包括激光器芯片所在区域和硅基锗SPAD探测器所在区域，通过系统级封装，得到基于硅基锗单光子探测器的远距离测距芯片。

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