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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利基于SiC MOSFET模块的双向串扰抑制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120150504B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510334268.7，技术领域涉及：H02M1/44；该发明授权基于SiC MOSFET模块的双向串扰抑制电路是由杨媛;刘卫;文阳设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于SiC MOSFET模块的双向串扰抑制电路在说明书摘要公布了：本发明公开了基于SiCMOSFET模块的双向串扰抑制电路，包括状态监测电路，状态监测电路的输入端与SiCMOSFET连接，状态监测电路的输出端与逻辑电路的输入端连接，逻辑电路的输出端与分别与电平移位电路的输入端、米勒钳位支路的输入端连接，电平移位电路的输出端与缓冲器buffer的输入端连接，缓冲器buffer的输出端与米勒钳位支路的输入端连接，米勒钳位支路的输出端与SiCMOSFET连接。基于SiCMOSFET模块的双向串扰抑制电路，整个串扰抑制过程只在串扰产生时工作，在保证了双向串扰有效抑制的同时，不会增加额外的开关损耗，解决了SiCMOSFTE半桥模块在工作时串扰所引起的误开通问题，增强了模块工作的可靠性，提高了SiCMOSFET模块的使用寿命。

本发明授权基于SiC MOSFET模块的双向串扰抑制电路在权利要求书中公布了：1.基于SiCMOSFET模块的双向串扰抑制电路，其特征在于，包括状态监测电路，所述状态监测电路的输入端与SiCMOSFET连接，所述状态监测电路的输出端与逻辑电路3的输入端连接，所述逻辑电路3的输出端分别与电平移位电路4的输入端、米勒钳位支路5的输入端连接，所述电平移位电路4的输出端与缓冲器buffer的输入端连接，所述缓冲器buffer的输出端与米勒钳位支路5的输入端连接，所述米勒钳位支路5的输出端与SiCMOSFET连接； 所述状态监测电路包括Vd状态监测电路1，所述Vd状态监测电路1包括比较器A1，所述Vd状态监测电路1的输入端与SiCMOSFET的漏极连接，所述Vd状态监测电路1的输出端与逻辑电路3的输入端连接； 所述状态监测电路还包括Vg状态监测电路2，所述Vg状态监测电路2包括比较器A2，所述Vg状态监测电路2的输入端与SiCMOSFET的栅极连接，所述Vg状态监测电路2的输出端与逻辑电路3的输入端连接； 所述逻辑电路3包括或非门N1，所述或非门N1的输入端分别与比较器A1的输出端、比较器A2的输出端连接，所述或非门N1的输出端与反相器N2的输入端连接，所述反相器N2的输出端和与非门N4的输入端连接，所述与非门N4的输入端还连接有反相器N3的输出端，所述反相器N3的输入端与SiCMOSFET的栅极驱动信号Vdrive连接，所述与非门N4的输出端与电平移位电路4的输入端连接； 所述逻辑电路3还包括或非门N6，所述或非门N6的输入端分别与栅极驱动信号Vdrive、反相器N5的输出端连接，所述反相器N5的输入端与比较器A2的输出端连接，所述或非门N6的输出端与米勒钳位支路5的输入端连接，所述或非门N6的输出端产生控制信号Vctrl； 所述米勒钳位支路5包括开关管Mswitch，所述开关管Mswitch的栅极与缓冲器buffer的输出端连接，所述开关管Mswitch的漏极与SiCMOSFET的源极连接，所述开关管Mswitch的源极与三极管M1的漏极、电容CMC一端连接，所述电容CMC另一端与三极管M1的源极接地，所述三极管M1的栅极与控制信号Vctrl连接。

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