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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152309B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311675693.X，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由程凯设计研发完成，并于2023-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括层叠设置的衬底和多沟道异质结层，多沟道异质结层远离衬底的方向上为第1，…，第m，…，第n层异质结，每层异质结包括沟道层和势垒层；阳极和阴极，位于多沟道异质结层的两端，阳极包括至少一组阳极指，一组阳极指包括不同长度的第1，…，第m，…，第n阳极指的n个阳极指，第m阳极指部分贯穿多沟道异质结层至对应的第m层异质结中。本公开通过多个阳极指独立控制半导体结构的多个沟道，从而避免半导体结构在受到较大反向偏压的情况下，在阳极金属与半导体接触肖特基界面发生的电场集中现象，避免产生电场尖峰，提高半导体结构的击穿电压。

本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 层叠设置的衬底10和多沟道异质结层20，所述多沟道异质结层20远离所述衬底10的方向上为第1，…，第m，…，第n层异质结，1≤m≤n，n≥2，m和n均为整数，每层所述异质结包括沟道层21和势垒层22； 阳极41和阴极42，位于所述多沟道异质结层20的两端，所述阳极41包括至少一组阳极指，所述一组阳极指包括不同长度的第1，…，第m，…，第n阳极指的n个阳极指，1≤m≤n，n≥2，m和n均为整数，所述第m阳极指部分贯穿所述多沟道异质结层20至对应的所述第m层异质结中； 位于所述多沟道异质结层20一端的多个间隔设置的第一P型区31，所述第一P型区31由所述多沟道异质结层20远离所述衬底10一侧的表面向所述衬底10延伸，至少一个所述第一P型区31的底面位于第1层异质结的所述沟道层21中，所述第一P型区31满足以下关系之一： 沿所述阳极41指向所述阴极42的方向，每个所述第一P型区31的长度在远离所述衬底10的方向上均匀增大或台阶状增大；或者 沿一个所述阳极指指向另一个所述阳极指的方向，每个所述第一P型区31的长度在远离所述衬底10的方向上均匀增大或台阶状增大。

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