电子科技大学黄心怡获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种抑制双频高功率微波下介质窗击穿的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120184540B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510322767.4，技术领域涉及：H01P1/08；该发明授权一种抑制双频高功率微波下介质窗击穿的方法是由黄心怡;王辉辉;刘大刚;刘腊群;李志杰设计研发完成，并于2025-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抑制双频高功率微波下介质窗击穿的方法在说明书摘要公布了：该发明公开了一种抑制双频高功率微波下介质窗击穿的方法，属于高功率微波领域。本发明在介质窗真空侧施加一个平行于介质窗，并且，同时垂直于介质窗表面的沉积电场Edc和高功率微波电场Erf的外磁场B，磁场满足使得电子通过回旋共振获得的能量高于二次产额曲线的第二交叉点，降低敏感曲线的上下边界，较低的上边界导致二次电子倍增被抑制；其中，Ω为回旋频率，ω1、ω2分别表示双频高功率微波Erf的两个微波分量的角频率。本发明在双频微波电场下，外加磁场平行于介质窗并且同时垂直于E_dc和E_rf时，能满足高于上边界条件，达到抑制倍增效果，由于外加磁场和微波电场的相互调制，随着双频微波电场场强的升高，敏感曲线的上边界也相对平稳并且较低，倍增被抑制。
本发明授权一种抑制双频高功率微波下介质窗击穿的方法在权利要求书中公布了：1.一种抑制双频高功率微波下介质窗击穿的方法，该方法为：在介质窗真空侧施加一个平行于介质窗，并且，同时垂直于介质窗表面的沉积电场Edc和高功率微波电场Erf的外磁场B，外磁场B满足，使得电子通过回旋共振获得的能量高于二次产额曲线的第二交叉点，降低敏感曲线的上下边界，较低的上边界导致二次电子倍增被抑制；其中，为回旋频率，、分别表示双频高功率微波Erf的两个微波分量的角频率； 所述二次产额曲线有两个交叉点和，这被称为第一和第二交叉点，二次产额曲线中的第一和第二交叉点分别对应敏感曲线中的下边界和上边界。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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