臻和慧联(浙江)环境科技有限公司韩彦涛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网获悉臻和慧联(浙江)环境科技有限公司申请的专利一种碳化硅陶瓷膜及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120247581B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510460915.9,技术领域涉及:C04B38/00;该发明授权一种碳化硅陶瓷膜及其制备方法是由韩彦涛;陈力辉设计研发完成,并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅陶瓷膜及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明属于陶瓷过滤膜技术领域,尤其涉及一种碳化硅陶瓷膜及其制备方法,包括步骤:1支撑层坯体的制备;2支撑层坯体的一次气相沉积;3支撑层坯体的二次气相沉积;4支撑层坯体后处理;5分离层的制备;6表面疏水改性处理,本发明制备得到的碳化硅陶瓷膜具有高通量、过滤分离效果高、机械强度和稳定性好,且表面疏水性佳、不易被污染的优点。
本发明授权一种碳化硅陶瓷膜及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种碳化硅陶瓷膜的制备方法,其特征在于,包括步骤: 1支撑层坯体的制备:将支撑层坯体的原料混合、并搅拌均匀,然后将搅拌得到的混合物放入挤出成型机中,挤出成型得到支撑层的湿坯,之后将支撑层的湿坯进行干燥与烧结制得支撑层坯体; 2支撑层坯体的一次气相沉积:将步骤1得到的支撑层坯体置于气相沉积装置中,将硅蒸气在载气作用下自支撑层坯体的进料侧定向流入支撑层坯体,之后自支撑层坯体的出料侧排出; 3支撑层坯体的二次气相沉积:将步骤2得到的支撑层坯体置于气相沉积装置中,将碳化硅蒸气在载气作用下自支撑层坯体的进料侧定向流入支撑层坯体,之后自支撑层坯体的出料侧排出; 4支撑层坯体后处理:将支撑层坯体置于密闭容器中,通过空气增压装置将密闭容器内的压强升压至0.5~3MPa,保压1~3min,之后打开喷放阀,使密闭容器中的压力按照0.03~0.1MPamin的速度降至常压;重复上述的增压、保压、降压过程3~5次后,打开密闭容器、取出支撑层坯体; 5分离层的制备:将分离层的原料混合、配制成膜层浆液,然后将膜层浆液涂覆在支撑层坯体的进料侧表面,形成分离层膜后得到碳化硅陶瓷膜的湿坯,之后将碳化硅陶瓷膜的湿坯进行干燥、烧结与氧化处理后制得碳化硅陶瓷膜的原膜; 6表面疏水改性处理:将表面疏水改性剂的原料混合、配制成表面疏水改性剂混合液,然后将步骤5制得的碳化硅陶瓷膜原膜在真空状态、温度100~200℃下,保温烘干10~30h后,浸入表面疏水改性剂混合液中充分浸润后,取出,在500~800℃下、保温0.5~3h后,得碳化硅陶瓷膜; 其中,按重量份计,所述支撑层坯体的原料包括: 碳化硅粉末Ⅰ30~50份; 碳化硅粉末Ⅱ10~20份; 碳黑8~15份; 硅粉5~10份; 分散剂1~5份; 增塑剂0.5~3份; 烧结助剂0.5~10份; 水10~25份; 其中,所述碳化硅粉末Ⅰ为球形实心碳化硅颗粒或多孔碳化硅颗粒,所述碳化硅粉末Ⅱ为具有开放通道的多孔碳化硅颗粒,所述碳化硅粉末Ⅱ的密度为碳化硅粉末Ⅰ的30%~60%。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人臻和慧联(浙江)环境科技有限公司,其通讯地址为:324200 浙江省衢州市常山县金川街道银都路1号3号楼-2-227;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励