浙江晶科能源有限公司端伟元获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶科能源有限公司申请的专利背接触电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120302765B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510764102.9，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权背接触电池及其制备方法是由端伟元;孙玉峰;岳浩东;杨洁;张昕宇设计研发完成，并于2025-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本背接触电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于太阳能电池领域，涉及一种背接触电池及其制备方法，能够提高转换效率，背接触电池包括：半导体基底，包括正面和背面；第一半导体层和第二半导体层，沿X轴方向交替排布在所述背面上，所述第一半导体层的边缘和第二半导体层的边缘在Z轴方向形成交叠区，相邻的第二半导体层之间形成第一凹槽，所述第二半导体层的外表面具有第二凹槽，所述第二半导体层的导电类型与第一半导体层的导电类型相反；导电膜层，设置在所述第一凹槽、第二凹槽及所述交叠区的外表面，其中，对应所述第二凹槽的槽底，所述导电膜层上间隔设有两处第一隔离区，每个所述第一隔离区包括至少一个沿所述X轴方向上间隔设置的第一隔离槽。
本发明授权背接触电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池，其特征在于，包括： 半导体基底，包括正面和背面； 第一半导体层和第二半导体层，沿X轴方向交替排布在所述背面上，所述第一半导体层的边缘和第二半导体层的边缘在Z轴方向形成交叠区，相邻的第二半导体层之间形成第一凹槽，所述第二半导体层的外表面具有第二凹槽，所述第二半导体层的导电类型与第一半导体层的导电类型相反；及 导电膜层，设置在所述第一凹槽、第二凹槽及所述交叠区的外表面，所述第二凹槽的外表面包括所述第二凹槽的槽底和侧壁，所述第二凹槽的槽底和侧壁均覆盖导电膜层，其中，对应所述第二凹槽的槽底，所述导电膜层上间隔设有两处第一隔离区，每个所述第一隔离区包括至少一个沿所述X轴方向上间隔设置的第一隔离槽； 同一所述第二凹槽中，两所述第一隔离区之间的第二半导体层包括晶化微晶硅区，沿所述X轴方向，所述晶化微晶硅区与任一所述第一隔离区之间的距离小于5μm。
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