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龙图腾网获悉上海芯旺微电子技术股份有限公司申请的专利一种MEMS电容式压力传感器结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120403925B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510547304.8，技术领域涉及：G01L1/14；该发明授权一种MEMS电容式压力传感器结构及其制造方法是由李小刚;索武生;丁晓兵设计研发完成，并于2025-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS电容式压力传感器结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MEMS电容式压力传感器结构及其制造方法，属于压力传感器技术领域。采用平板式电容结构，在衬底进行掺杂得到掺杂层来形成电容式压力传感器的下极板，在其上淀积多层结构层来形成电容式压力传感器的上极板，所述上极板和下极板之间至下而上还设置有第一绝缘介质层和空腔。本发明结构简单，加工方便。同时整个加工工艺都是在基板的正面进行的，也就是所谓的平面工艺加工，不会需要用到正反面对准，可以非常方便和CMOS工艺进行单芯片集成。

本发明授权一种MEMS电容式压力传感器结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS电容式压力传感器的制备方法，其特征在于：所述MEMS电容式压力传感器采用平板式电容结构，在衬底进行掺杂得到掺杂层来形成电容式压力传感器的下极板，在其上淀积多层结构层来形成电容式压力传感器的上极板，所述上极板和下极板之间至下而上还设置有第一绝缘介质层和空腔；所述上极板至少包括第一结构层和第二结构层，所述第一结构层中设置有多个被介质层或者第二结构层封闭的腐蚀孔；上极板上面设有第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层中设有接触孔，一个连接到第二结构层用做上电极，一个连接到衬底的掺杂层用作下电极，接触孔沉积金属层形成下电极、上电极对应的电连接结构；接触孔上设置钝化层； 制备方法包括以下步骤： 1通过离子注入或扩散在衬底上形成掺杂层，然后在其上生长第一绝缘介质层； 2在第一绝缘介质层上沉积牺牲层，并按照设计图案采用光刻刻蚀工艺去除多余的牺牲层，然后在其上沉积第一结构层，再按照设计图案通过光刻刻蚀工艺，在第一结构层上形成腐蚀孔阵列，并释放牺牲层，释放掉的牺牲层部分即形成为空腔； 3在第一结构层上沉积介质层，以封闭腐蚀孔，再经过光刻刻蚀工艺将腐蚀孔以外区域的介质层去除，然后再其上沉积第二结构层，再按照设计图案通过光刻刻蚀工艺将多余的第一结构层、第二结构层去除； 或者在封闭腐蚀孔的同时直接生长第二结构层，再按照设计图案通过光刻刻蚀工艺将多余的第一结构层、第二结构层去除； 4在第二结构层上沉积第二绝缘介质层，再按照设计图案通过光刻刻蚀出接触孔，一个连接到第二结构层用做上电极，一个连接到衬底的掺杂层用作下电极，然后沉积金属层，再按照设计图案通过光刻刻蚀工艺将多余的金属层去除，形成下电极、上电极对应的电连接结构； 5在上述结构上沉积钝化层，再按照设计图案通过光刻刻蚀工艺刻蚀出钝化孔以露出下面的金属层，形成金属焊盘，同时还要露出上极板对应的部分。

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