江苏富乐华半导体科技股份有限公司曹海洋获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏富乐华半导体科技股份有限公司申请的专利一种覆铜陶瓷基板的翘曲改善方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120453167B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510579723.X，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种覆铜陶瓷基板的翘曲改善方法是由曹海洋;李炎;丁勤设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种覆铜陶瓷基板的翘曲改善方法在说明书摘要公布了：本发明涉及覆铜陶瓷基板技术领域，具体一种覆铜陶瓷基板的翘曲改善方法。包括以下步骤：步骤1：菲林图优化设计：1根据覆铜陶瓷基板的图形面残铜率与非图形面残铜率，计算得到残铜率差值ΔR；2根据上述ΔR，动态调整覆铜陶瓷基板的长边工艺边宽度，使得ΔR达到目标值，随后进行Dimple孔排布，得到预优化覆铜陶瓷基板；步骤2：应力释放：将步骤1中的得到预优化覆铜陶瓷基板进行热处理，得到成品。
本发明授权一种覆铜陶瓷基板的翘曲改善方法在权利要求书中公布了：1.一种覆铜陶瓷基板的翘曲改善方法，其特征在于：包括以下步骤： 步骤1：菲林图优化设计： 1根据覆铜陶瓷基板的图形面残铜率与非图形面残铜率，计算得到残铜率差值ΔR； 2根据上述ΔR，动态调整覆铜陶瓷基板的长边工艺边宽度，使得ΔR达到目标值，随后进行Dimple孔排布，得到预优化覆铜陶瓷基板； 步骤2：应力释放：将步骤1中的得到预优化覆铜陶瓷基板进行热处理，得到成品； 所述Dimple孔的孔型为圆形；所述Dimple孔的直径为0.4~0.8mm，孔间距为孔直径的1.5~3.5倍；所述Dimple孔的深度为覆铜陶瓷基板的铜厚的50%~70%； Dimple孔排布的规则为：长边工艺边宽度，每1mm工艺边宽度设置一排Dimple孔。
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