横店集团东磁股份有限公司吴成坤获国家专利权
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龙图腾网获悉横店集团东磁股份有限公司申请的专利一种背接触太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120568917B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511063239.8，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种背接触太阳能电池及其制备方法是由吴成坤;任勇;陈德爽;徐君设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种背接触太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及太阳能电池技术领域，公开了一种背接触太阳能电池及其制备方法。电池包括：基底层；第一掺杂区和第二掺杂区，交替设置于基底层的背光面一侧；隔离凹槽，位于相邻的第一掺杂区和第二掺杂区之间并深入基底层内；隔离凹槽的至少一个侧壁包括第一断面、第二断面和第三断面，第一断面和第二断面形成于第一掺杂区或第二掺杂区内，第一断面自第一掺杂区或第二掺杂区的表面对应延伸至第一掺杂区或第二掺杂区的内部，第二断面连接第一断面和第三断面，第三断面至少形成于基底层内，并与隔离凹槽的底部连接；第三断面包括绒面斜坡区域和光面斜坡区域。本公开可以提高电池背光面的光学利用率，进而提高组件双面率，同时提升电池的电学性能。
本发明授权一种背接触太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括： 基底层，包括相对设置的受光面和背光面； 第一掺杂区和第二掺杂区，交替设置于所述基底层的背光面一侧； 隔离凹槽，位于相邻的所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间，所述隔离凹槽深入所述基底层内；所述隔离凹槽的至少一个侧壁包括第一断面、第二断面和第三断面，所述第一断面和所述第二断面形成于所述第一掺杂区或所述第二掺杂区内，所述第一断面自所述第一掺杂区或所述第二掺杂区的表面对应延伸至所述第一掺杂区或所述第二掺杂区的内部，所述第二断面连接所述第一断面和所述第三断面，所述第三断面至少形成于所述基底层内，并与所述隔离凹槽的底部连接； 所述第三断面相对于所述背光面为斜面；所述第三断面包括绒面斜坡区域和光面斜坡区域；所述绒面斜坡区域相对靠近所述隔离凹槽的底部，且与所述隔离凹槽的底部连接；所述光面斜坡区域与所述第二断面连接。
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