华南理工大学李国强获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种基于Si/GaAs双异质结的柔性两端叠层太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120583832B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510717732.0，技术领域涉及：H10K39/18；该发明授权一种基于Si/GaAs双异质结的柔性两端叠层太阳能电池及其制备方法是由李国强;侯冬曼;王宣;邓曦设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于Si/GaAs双异质结的柔性两端叠层太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提出基于SiGaAs双异质结的柔性两端叠层太阳能电池及其制备方法，所述电池从下至上依次包括柔性衬底、底电极、Si异质结子电池、碳纳米管中间互联层、GaAs异质结子电池、正面ARC层、正面电极；其中电池结构中两个子电池都为异质结；两个子电池单独制备，有效避免了由于复杂制备工艺而引起子电池损伤。并且使用碳纳米管既作为子电池空穴传输层又作为中间互联层，碳纳米管的力学和电学特性实现了高效光电转换与机械柔性的统一，为下一代便携式电子、智能穿戴及建筑一体化光伏提供了革新性解决方案。
本发明授权一种基于Si/GaAs双异质结的柔性两端叠层太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于SiGaAs双异质结的柔性两端叠层太阳能电池，其特征在于， 所述电池从下至上依次包括柔性衬底、底电极、Si异质结子电池、碳纳米管中间互联层、GaAs异质结子电池、正面ARC层、正面电极； Si异质结子电池从下至上依次是n-Si层、i-a-Si:H钝化层、第一碳纳米管空穴传输层； GaAs异质结子电池从下到上依次包括InGaP背场层、GaAs吸收层和第二碳纳米管空穴传输层。
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