华侨大学吴贤获国家专利权
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龙图腾网获悉华侨大学申请的专利一种用于PCD钻头的防虹吸梯度脱钴方法和装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120587462B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511099736.3,技术领域涉及:B22F3/24;该发明授权一种用于PCD钻头的防虹吸梯度脱钴方法和装置是由吴贤;李铎凡;苏治钦;黄福寅;姜峰设计研发完成,并于2025-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于PCD钻头的防虹吸梯度脱钴方法和装置在说明书摘要公布了:一种用于PCD钻头的防虹吸梯度脱钴方法和装置,涉及PCD钻头脱钴技术领域。方法包括:S1、通过夹具组件夹持待脱钴的PCD钻头。S2、将导流帽盖接合于PCD钻头,开启电流源。S3、降低PCD钻头的高度,直至传感器组件检测到电流信号,记录当前电流为。S4、PCD钻头的高度降低然后并记录当前电流为,以进行第一阶段脱钴。S5、当电流时,若PCD钻头设置有防虹吸的微织构则高度降低,若PCD钻头未设置防虹吸的微织构则高度继续降低,以进行第二阶段的脱钴。其中,为防虹吸长度。S6、当第二阶段的脱钴时长达到第一预设时长时,升高PCD钻头,完成脱钴。
本发明授权一种用于PCD钻头的防虹吸梯度脱钴方法和装置在权利要求书中公布了:1.一种用于PCD钻头的防虹吸梯度脱钴方法,其特征在于,可由防虹吸梯度脱钴设备执行; 所述防虹吸梯度脱钴方法包括以下步骤: 通过夹具组件夹持待脱钴的PCD钻头; 将导流帽盖接合于PCD钻头,开启电流源; 降低PCD钻头的高度,直至传感器组件检测到电流信号,记录当前电流为; PCD钻头的高度降低然后并记录当前电流为,以进行第一阶段脱钴; 当电流时,若PCD钻头设置有防虹吸的微织构,则高度降低;若PCD钻头未设置防虹吸的微织构,则高度继续降低,以进行第二阶段的脱钴;其中,为防虹吸长度;<; 当第二阶段的脱钴时长达到第一预设时长时,升高PCD钻头,完成脱钴; 防虹吸梯度脱钴设备包含: 夹具组件,适于通过弧形夹头夹持于PCD钻头; 驱动组件,接合于所述夹具组件,适于上下移动所述夹具组件,以将所述PCD钻头浸入脱钴溶液; 导电组件,包括适于接合于所述PCD钻头的导流帽盖,以及电连接于所述导流帽盖的电流源; 传感器组件,包括浸入脱钴溶液的电流传感器,用以检测脱钴电流; 控制组件,电连接于所述驱动组件和所述传感器组件。
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