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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于倒置转移技术的N面GaN基外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120600622B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510710758.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权基于倒置转移技术的N面GaN基外延结构及其制备方法是由侯斌;杨凌;陈凯文;杜佳乐;孙兵;王鑫华;张濛;武玫;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2025-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于倒置转移技术的N面GaN基外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于倒置转移技术的N面GaN基外延结构及其制备方法，方法包括：在Si衬底上生长AlN成核层、未掺杂GaN缓冲层、AlN插入层、未掺杂GaN层、AlGaN层、未掺杂GaN沟道层、AlN间隔层、AlGaN势垒层、Si掺杂的渐变AlxGa1‑xN势垒层、Si掺杂的GaN间隔层和Fe掺杂的半绝缘GaN层；在Fe掺杂的半绝缘GaN层上用倒置转移技术键合SiC衬底；去除Si衬底至未掺杂GaN缓冲层，用未掺杂GaN缓冲层与AlN插入层的高刻蚀选择比在AlN插入层实现刻蚀自终止；去除AlN插入层处理得到N面GaN基外延结构。本发明可避免直接生长N面GaN的困难，改善散热，刻蚀停止层可实现剩余材料厚度的精准调控。

本发明授权基于倒置转移技术的N面GaN基外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于倒置转移技术的N面GaN基外延结构的制备方法，其特征在于，包括： 获取Si衬底并进行预处理后，在其上依次生长AlN成核层和未掺杂GaN缓冲层； 在所述未掺杂GaN缓冲层上生长AlN插入层作为刻蚀停止层； 在所述AlN插入层上依次生长未掺杂GaN层、AlGaN层、未掺杂GaN沟道层、AlN间隔层、AlGaN势垒层、Si掺杂的渐变AlGa1-xN势垒层、Si掺杂的GaN间隔层和Fe掺杂的半绝缘GaN层； 对所述Fe掺杂的半绝缘GaN层和获取到的SiC衬底片进行处理后，在Fe掺杂的半绝缘GaN层上利用倒置转移技术键合SiC衬底片，得到键合后结构； 依次去除所述键合后结构中的Si衬底、AlN成核层、未掺杂GaN缓冲层，并利用所述未掺杂GaN缓冲层与所述AlN插入层的高刻蚀选择比，在所述AlN插入层实现刻蚀自终止； 针对得到的材料结构，通过ALE刻蚀技术去除所述AlN插入层，并对所述AlN插入层去除后暴露出的N极性的未掺杂GaN层进行表面处理，得到N面GaN基外延结构。

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